Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD2400SGT120C4S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 100°C

3800

2400

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

4800

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

2400

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

4800

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

12.9

kW

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

3400

v

montamento coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

n.m.

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

peso

Peso di modulo

2300

g

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic=96- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 25°C

1.70

2.15

v

Ic=2400A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.00

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 25°C

600

NS

tr

Tempo di risalita

215

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

810

NS

tf

Tempo di caduta

145

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

- Sì.

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

- Sì.

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

vGE= ± 15V,Tj= 125°C

695

NS

tr

Tempo di risalita

235

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

970

NS

tf

Tempo di caduta

182

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

488

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

382

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

173

NF

c- Non

Capacità di uscita

9.05

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

7.85

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

9600

a)

Qg

Importo della porta

v- Cc= 600V,Ic=2400A, vGE=-15 - Non lo so.+15V

23.0

μC

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.42

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

10

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.12

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If=2400A

vGE=0V

tj= 25°C

1.65

2.05

v

tj= 125°C

1.65

Qr

Ricostruito

carico

If=2400A,

vr= 600V,

rGon=0.3Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

240

μC

tj= 125°C

460

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

1650

a)

tj= 125°C

2150

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

- Sì.

mj

tj= 125°C

208

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

11.6

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

19.7

K/kW

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

4

K/kW