Modulo IGBT,1700V 650A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti Nota
Igbt
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
vCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1700 | v |
vGES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | v |
Ic | Corrente del collettore @ Tc= 25oc @ Tc= 100oc | 1073 650 | a) |
Icm | Corrente del collettore pulsato tp=1 ms | 1300 | a) |
pd | Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc | 4.2 | kW |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
vRRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1700 | v |
If | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto | 650 | a) |
IFm | Corrente di diodo massima tp=1 ms | 1300 | a) |
modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | oc |
t- Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | oc |
tSTG | temperatura di conservazionegamma | -40 a +150 | oc |
viso | Tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Ic=650A,VGE= 15V, tj= 25oc |
| 1.90 | 2.35 |
v |
Ic=650A,VGE= 15V, tj= 125oc |
| 2.35 |
| |||
Ic=650A,VGE= 15V, tj= 150oc |
| 2.45 |
| |||
vGE(- La) | Limita di emissione della porta tensione | Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc | 5.6 | 6.2 | 6.8 | v |
ICES | Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente | v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
| 5.0 | - Mamma! |
IGES | Perforazione del portello corrente | vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
| 400 | - No |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 2.3 |
| Oh |
c- Non | Capacità di ingresso | v- -= 25V, f=1MHz, vGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.75 |
| NF | |
Qg | Importo della porta | vGE- Sì. 15…+15V |
| 5.66 |
| μC |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 25oc |
| 468 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 86 |
| NS | |
td(spento) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 850 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 363 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 226 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 161 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 125oc |
| 480 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 110 |
| NS | |
td(spento) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 1031 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 600 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 338 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 226 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc=900V,Ic=650A,- Non lo so.rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,vGE= ± 15V,Tj= 150oc |
| 480 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 120 |
| NS | |
td(spento) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 1040 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 684 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 368 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 242 |
| mj | |
Isc |
Dati SC | tp≤ 10 μs,VGE= 15V, tj= 150oC,V- Cc= 1000V,laCEM≤1700V |
|
2600 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vf | Diodo di avanzamento tensione | If=650A,VGE=0V,Tj= 25oc |
| 1.85 | 2.30 |
v |
If=650A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.98 |
| |||
If=650A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 2.02 |
| |||
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 Vtj= 25oc |
| 176 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 765 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 87.4 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 125oc |
| 292 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 798 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 159 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato | vr=900V,If=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15 V tj= 150oc |
| 341 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 805 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 192 |
| mj |
NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
r25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Deviazione di r100 | tc= 100 oC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | potenza dissolvimento |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | Valore B | r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | Valore B | r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | Valore B | r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
- Io...- - | Induttanza di deflusso |
| 18 |
| - Non lo so. |
rCC+EE | Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip |
| 0.30 |
| mΩ |
rilJC | Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (permodulo) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M4 connessione terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
n.m. |
g | peso di modulo |
| 810 |
| g |
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