Modulo IGBT, 1200V 900A
caratteristiche
tipica Applicazioni
Assoluto massimo rating tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Igbt
Il simbolo | Descrizione | valori | unità |
vCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | v |
vGES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | v |
Ic | Corrente del collettore @ Tc=90oc | 900 | a) |
Icm | Corrente del collettore pulsato tp=1 ms | 1800 | a) |
pd | Dissipation di potenza massima @ Tj= 175oc | 3409 | - Sì |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valori | unità |
vRRM | Volt inverso di picco ripetitivoetà | 1200 | v |
If | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto | 900 | a) |
IFm | Corrente di diodo massima tp=1 ms | 1800 | a) |
IFSM | Corrente di avanzamento di pressione tp= 10ms @tj= 25oc- Non lo so.@ Tj= 150oc | 4100 3000 | a) |
I2t | I2Valore t, tp= 10 ms @ Tj= 25oc @ Tj= 150oc | 84000 45000 | a)2s |
modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | oc |
t- Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | oc |
tSTG | intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | oc |
viso | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
Igbt caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 25oc |
| 1.40 | 1.85 |
v |
Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 125oc |
| 1.60 |
| |||
Ic= 900 A, VGE= 15V, tj= 175oc |
| 1.65 |
| |||
vGE(- La) | Limita di emissione della porta tensione | Ic= 24,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25oc | 5.5 | 6.3 | 7.0 | v |
ICES | Collettore tagliato- Non lo so.spento corrente | v- -=vCES- Sì.vGE=0V, tj= 25oc |
|
| 1.0 | - Mamma! |
IGES | Perforazione del portello corrente | vGE=vGES- Sì.v- -=0V,tj= 25oc |
|
| 400 | - No |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 0.5 |
| Oh |
c- Non | Capacità di ingresso | v- -= 25V, f=100 kHz, vGE=0V |
| 51.5 |
| NF |
cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.36 |
| NF | |
Qg | Importo della porta | vGE- Sì. 15…+15V |
| 13.6 |
| μC |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 25oc |
| 330 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 140 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 842 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 84 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 144 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 87.8 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 125oc |
| 373 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 155 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 915 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 135 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 186 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 104 |
| mj | |
td(su) | Tempo di ritardo di accensione |
v- Cc= 600V,Ic= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, vGE=-8V/+15V, tj= 175oc |
| 390 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 172 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento tempo di ritardo |
| 950 |
| NS | |
tf | Tempo di caduta |
| 162 |
| NS | |
esu | Accendere di passaggio perdita |
| 209 |
| mj | |
espento | Sconto di accensione perdita |
| 114 |
| mj | |
Isc |
Dati SC | tp≤ 8 μs,VGE= 15V, tj= 150oC,V- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
3200 |
|
a) |
tp≤ 6 μs,VGE= 15V, tj= 175oC,V- Cc= 800V, vCEM ≤1200 V |
|
3000 |
|
a) |
Diodo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
vf | Diodo di avanzamento tensione | If= 900 A, VGE=0V,Tj= 25oc |
| 1.55 | 2.00 |
v |
If= 900 A, VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.65 |
| |||
If= 900 A, VGE=0V,Tj= 175oc |
| 1.55 |
| |||
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4930A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 25oc |
| 91.0 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 441 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 26.3 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4440A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 125oc |
| 141 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 493 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 42.5 |
| mj | |
Qr | Importo recuperato |
vr= 600V,If= 900A, - di/dt=4160A/μs,VGE= 8V,- Io...s= 40- Non lo so.- Sì.tj= 175oc |
| 174 |
| μC |
IRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 536 |
| a) | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 52.4 |
| mj |
NTC caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
r25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Deviazione di r100 | tc= 100 oc,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | potenza dissolvimento |
|
|
| 20.0 | m |
b25/50 | Valore B | r2=R25Esp[B25/50(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
b25/80 | Valore B | r2=R25Esp[B25/80(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
b25/100 | Valore B | r2=R25Esp[B25/100(1/T2- Non lo so. 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
modulo caratteristiche tc= 25oc a meno che altrimenti nota
Il simbolo | parametro | Min. | Tipo. | - Max. - Cosa? | unità |
- Io...- - | Induttanza di deflusso |
| 20 |
| - Non lo so. |
rCC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.80 |
| mΩ |
rilJC | Connessione con il caso (per IGB)T) Giunzione-a-Cassa (per Diodo) |
|
| 0.044 0.076 | C/W |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Caso-a-Radiatore (per Diode) Cassa-sink (permodulo) |
| 0.028 0.049 0.009 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, per il rivestimento di macchine Torsione di montaggio Vattone M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | n.m. |
g | peso di modulo |
| 350 |
| g |
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