Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD450HFL120B3S

unità

vCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

v

vGES

Tensione del portatore-emittente

± 20

v

Ic

Collettore corrente @tc= 25°C

@ Tc= 100°C

715

450

a)

Icm

Corrente del collettore pulsato tp= 1ms

900

a)

If

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

450

a)

IFm

Corrente di diodo massima tp=1 ms

900

a)

pd

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175°C

2679

- Sì

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

°C

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

°C

tSTG

temperatura di conservazionegamma

-40 a +125

°C

viso

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1Min

2500

v

montamento coppia

Filtro di alimentazione:M5

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

2,5 a 5.0

3,0 a 5.0

n.m.

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

v(br)CES

Collettore-emittente

tensione di rottura

tj= 25°C

1200

v

ICES

Collettore tagliato- Non lo so.spento

corrente

v- -=vCES- Sì.vGE=0V,tj= 25°C

5.0

- Mamma!

IGES

Perforazione del portello corrente

vGE=vGES- Sì.v- -=0V, tj= 25°C

400

- No

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vGE(- La)

Limita di emissione della porta tensione

Ic= 18,0- Mamma!- Sì.v- -=vGE- Sì. tj= 25°C

5.0

5.8

7.0

v

vCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 25°C

2.00

2.45

v

Ic= 450 A,VGE= 15V, tj= 125°C

2.20

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 25°C

220

NS

tr

Tempo di risalita

68

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

475

NS

tf

Tempo di caduta

55

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

48.0

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

28.2

mj

td(su)

Tempo di ritardo di accensione

v- Cc= 600V,Ic= 450A,- Non lo so.rg= 2,2Ω,

vGE=± 15V, tj= 125°C

250

NS

tr

Tempo di risalita

72

NS

td(spento)

Disattivamento tempo di ritardo

530

NS

tf

Tempo di caduta

80

NS

esu

Accendere di passaggio

perdita

66.0

mj

espento

Sconto di accensione

perdita

45.0

mj

c- Non

Capacità di ingresso

v- -= 25V, f=1MHz,

vGE=0V

31.8

NF

c- Non

Capacità di uscita

2.13

NF

cres

Trasferimento inverso

Capacità

1.41

NF

Isc

Dati SC

tp≤ 10 μs,VGE=15 v,

tj= 125°C,v- Cc= 900V, vCEM≤ 1200V

1950

a)

Qg

Importo della porta

v- Cc= 600V,Ic= 450A, vGE=-15 - Non lo so.+15V

4.59

μC

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.7

Oh

- Io...- -

Induttanza di deflusso

20

- Non lo so.

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.35

mΩ

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

vf

Diodo di avanzamento

tensione

If= 450A

vGE=0V

tj= 25°C

1.72

2.12

v

tj= 125°C

1.73

Qr

Ricostruito

carico

If= 450A,

vr= 600V,

rg= 2,2Ω,

vGE= 15V

tj= 25°C

36.2

μC

tj= 125°C

78.1

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25°C

234

a)

tj= 125°C

314

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25°C

19.1

mj

tj= 125°C

36.3

Il simbolo

parametro

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

0.056

C/W

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

0.107

C/W

rθcss

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

0.035

C/W

peso

peso- Non lo so.modulo

300

g