Modulo IGBT 4500V

parametro

Il simbolo

condizioni

valore

unità

 Tensione tra collettore ed emittente

vCES

vGE=0V,tVj= 25°c

4500

v

 Collettore di corrente continua - CRenta

Ic

tc= 100°C,TVj= 125°c

2000

a)

Corrente di picco del collettore

Icm

tp=1 ms

4000

a)

Porta- Non lo so.emittente tensione

vGES

±20

v

totale potenza dissolvimento

p- Non

tc= 25°C,TVj= 125°c

20800

- Sì

dc In avanti CuRenta

If

2000

a)

Pico Cur in avantiaffitto

IMF

tp=1 ms

4000

a)

Corrente di sovratensione

IFSM

vr=0V,TVj= 125°C,

tp= 10ms, mezza onda sinusoidale

14000

a)

SOA di cortocircuito IGBT

tpsc

v- Cc= 3400V,vCEM chip≤ 4500 V vGE≤ 15V,TVj≤ 125°c

10

μs

Connessione massimatemperatura

tVj(- Max)

125

°C

Giunti temperatura di funzionamento

tVj(- Si', certo.)

-40~125

°C

Temperatura della cassa

tc

-40~125

°C

temperatura di conservazione

tSTG

-40~70

°C

Forza di montaggio

fm

60~75

kn

parametro

Il simbolo

condizioni

valore

unità

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

Tensione di rottura collettore-emettitore

V ((BR) CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25°C

4500

v

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25°C

2.70

3.05

v

Tvj=125°C

3.35

3.85

v

Corrente di taglio collettore-emittente

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25°C

1

- Mamma!

Tvj=125°C

15

100

- Mamma!

Corrente di perdita del portatore-emettitore

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125°C

-500

500

- No

Tensione di soglia del portale-emittente

VGE (th)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25°C

6.7

7.7

v

Importo della porta

CdG

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Capacità di ingresso

- Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25°C

213

NF

Capacità di uscita

Coes

15.3

NF

Capacità di trasferimento inverso

Cres

4.7

NF

Resistenza interna della porta

RGint

0

Oh

Tempo di ritardo di accensione

Td (in)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=± 15V,

RGon=1,8Ω,

RGoff=8,2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

carico induttivo

Tvj=25°C

1100

NS

Tvj=125°C

900

NS

Tempo di risalita

tr

Tvj=25°C

400

NS

Tvj=125°C

450

NS

Tempo di ritardo di spegnimento

Td (off)

Tvj=25°C

3800

NS

Tvj=125°C

4100

NS

Tempo di caduta

Tf

Tvj=25°C

1200

NS

Tvj=125°C

1400

NS

Accensione di energia di commutazione

EON

Tvj=25°C

14240

mj

Tvj=125°C

15730

mj

Disattivazione Energia di commutazione

EOFF

Tvj=25°C

6960

mj

Tvj=125°C

8180

mj

Corrente di cortocircuito

sc sc

VGE≤15V, tpsc≤10μs, VCC=3400V, Tvj=125°C

VCEM CHIP≤4500V

8400

a)

parametro

Il simbolo

condizioni

valore

Unità

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

Voltaggio di avanzamento

VF

IF=2000A

Tvj=25°C

2.60

v

Tvj=125°C

2.85

v

Corrente di recupero inversa

- Non lo so.

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1,8Ω, LS=140nH,

carico induttivo

Tvj=25°C

1620

a)

Tvj=125°C

1970

a)

Importo di recupero inverso

Qrr

Tvj=25°C

1750

uC

Tvj=125°C

2700

uC

Tempo di recupero inverso

trr

Tvj=25°C

4.0

noi

Tvj=125°C

5.1

noi

Perdite di energia da recupero inverso

Erec

Tvj=25°C

2350

mj

Tvj=125°C

3860

mj