Modulo IGBT,3300V 400A
caratteristiche
●SPT+chip-set per bassa commutazione perdite |
●basso vCEsat |
●Bassa potenza di pilotaggio potenza |
●APiastra base in lSiC per alta potenza cciclabilità capabilit- Sì |
●Sottostrato in AlN per bassa termica resistenza |
tipicaapplicazione
●Azionamenti di trazione |
●Chopper DC |
●Inverter di media tensioneraddrizzatori/convertitori |
Valori massimi nominali
parametro | Il simbolo | condizioni | Min | - Max | unità |
Tensione tra collettore ed emittente | VCES | VGE =0V,Tvj ≥25°C |
| 3300 | v |
Corrente di collettore DC | - - | TC =80°C |
| 400 | a) |
Corrente di picco del collettore | MIC | tp=1ms,Tc=80°C |
| 800 | a) |
Tensione del portatore-emittente | VGES |
| -20 | 20 | v |
Dissipazione totale di potenza | Ptot | TC =25°C, per interruttore (IGBT) |
| 7100 | - Sì |
Corrente continua in avanti | Se |
|
| 400 | a) |
Corrente di picco in avanti | IFRM | tP=1 ms |
| 800 | a) |
Corrente di sovratensione | IFSM | VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà |
| 3000 | a) |
SOA di cortocircuito IGBT | tpsc | VCC =2500V,VCEMCHIP ≤3300V VGE ≤15V,Tvj≤125°C |
| 10 | μs |
Tensione di isolamento | Visol | 1min, f=50Hz |
| 10200 | v |
temperatura di giunzione | Tvj |
|
| 150 | °C |
Temperatura di giunzione operativa | Tvj ((op) |
| -50 | 150 | °C |
Temperatura della cassa | tc |
| -50 | 125 | °C |
temperatura di conservazione | TSTG |
| -50 | 125 | °C |
Coppie di montaggio | ms | Base-radiatore- Sì.Viti M6 | 4 | 6 |
nm |
Mt1 | Terminali principali- Sì.per il riciclaggio di materie prime | 8 | 10 |
Valori caratteristici IGBT
parametro | Il simbolo | condizioni | Min | tipo | - Max | unità | |
Tensione di rottura del collettore (- emettitore) | V ((BR) CES | VGE =0V,IC=5mA, Tvj=25°C | 3300 |
|
| v | |
Tensione di saturazione del collettore-emettitore | VCEsat | IC =400A, VGE =15V | Tvj= 25°C |
| 3.0 |
| v |
Tvj=125°C |
| 3.6 |
| v | |||
Corrente di taglio del collettore | ICES | VCE =3300V, VGE =0V | Tvj= 25°C |
|
| 5 | - Mamma! |
Tvj=125°C |
|
| 50 | - Mamma! | |||
Corrente di perdita di portata | IGES | VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C | -500 |
| 500 | - No | |
Tensione di soglia del portale-emittente | VGE (th) | IC =80mA,VCE =VGE, Tvj =25°C | 5.5 |
| 7.5 | v | |
Importo della porta | CdG | IC =400A,VCE =1800V, VGE =-15V … 15V |
| 4.0 |
| μC | |
Capacità di ingresso | - Cies |
VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C |
| 65 |
|
NF | |
Capacità di uscita | Coes |
| 3.7 |
| |||
Capacità di trasferimento inverso | Cres |
| 0.8 |
| |||
Tempo di ritardo di accensione | Td (in) |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, 感性负载 (in inglese) | Tvj = 25 °C |
| 650 |
|
NS |
Tvj = 125 °C |
| 750 |
| ||||
Tempo di risalita | tr | Tvj = 25 °C |
| 400 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 470 |
| ||||
Tempo di ritardo di spegnimento | Td (off) | Tvj = 25 °C |
| 1600 |
|
NS | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
Tempo di caduta | Tf | Tvj = 25 °C |
| 1100 |
| ||
Tvj = 125 °C |
| 1200 |
| ||||
Energia di perdita di commutazione all'accensione | EON | Tvj = 25 °C |
| 1400 |
| mj | |
Tvj = 125 °C |
| 1800 |
| ||||
Energia di perdita di commutazione allo spegnimento | EOFF | Tvj = 25 °C |
| 1300 |
| mj | |
Tvj = 125 °C |
| 1700 |
| ||||
Corrente di cortocircuito | sc sc | tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 2500V |
| 2500 |
| a) |
Valori caratteristici dei diodi
parametro | Il simbolo | condizioni | Min | tipo | - Max | unità | |
Voltaggio di avanzamento | VF | IF =400A | Tvj = 25 °C |
| 2.3 | 2.6 | v |
Tvj = 125 °C |
| 2.35 | 2.6 | ||||
Corrente di recupero inversa | - Non lo so. |
VCC =1800V, IC =400A, RG =2.3Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, | Tvj = 25 °C |
| 900 |
| a) |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
Importo recuperato | Qrr | Tvj = 25 °C |
| 700 |
| μC | |
Tvj = 125 °C |
| 1000 |
| ||||
Tempo di recupero inverso | trr | Tvj = 25 °C |
| 850 |
| NS | |
Tvj = 125 °C |
| 2200 |
| ||||
Energia di recupero inverso | Erec | Tvj =25 °C |
| 850 |
| mj | |
Tvj = 125 °C |
| 1300 |
|
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