YMIF1000-33, Modulo IGBT, 3300V 1000A

YMIF1000-33,Modulo IGBT,3300V 1000A

Modulo IGBT，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

chiave parametri

applicazioni tipiche

applicazioni tipiche

Valore Massimo Assoluto

(Simbolo)	(Parametro)	(Condizioni di prova)	(valore)	(Unità)
VCES	Tensione tra collettore ed emittente	VGE = 0V, TC = 25 °C	3300	v
VGES	Tensione del portatore-emittente	TC= 25 °C	± 20	v
I C	Corrente tra collettore ed emittente	TC = 95 °C	1000	a)
IC(PK)	Corrente di picco del collettore	t P= 1ms	2000	a)
P max	Dissipazione di potenza massima del transistor	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	kW
- Non lo so.	Diodo I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	Tensione di isolamento per modulo	Terminali comuni alla piastra di base), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Scarica parziale per modulo	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pc

Caratteristiche Elettriche

(Simbolo)		(Parametro)	(Condizioni di prova)	(min)	(tipico)	(massimo)	(Unità)
I CES		Corrente di taglio del collettore	VGE = 0V,VCE = VCES			1	- Mamma!
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	- Mamma!
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	- Mamma!
I GES		Corrente di perdita di portata	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Tensione di soglia di ingresso	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
VCE	(*1) (sat)	Saturazione del collettore-emittente tensione	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	v
I F		Corrente di diodo in avanti	dc		1000		a)
I FRM		Corrente di diodo massima in avanti	t P = 1ms		2000		a)
VF(*1)		Tensione di diodo in avanti	I F= 1000A		2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	v
C ies		Capacità di ingresso	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		NF
Q g		Importo della porta	±15V		17		μC
C res		Capacità di trasferimento inverso	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		NF
L M		Induttanza del modulo			15		- Non lo so.
R INT		Resistenza interna del transistor			165		μΩ
I SC		Corrente di cortocircuito, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		a)

Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	Tempo di caduta		530	NS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento		1600	mj
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		680	NS
t r	Tempo di risalita		320	NS
EON	Perdita di energia all'accensione		1240	mj
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	780	μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo		810	a)
E rec	Energia di recupero inverso del diodo		980	mj
Td (off)	Tempo di ritardo di spegnimento	I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	Tempo di caduta		580	NS
E OFF	Perdite di energia di spegnimento		1950	mj
Td (in)	Tempo di ritardo di accensione		660	NS
t r	Tempo di risalita		340	NS
EON	Perdita di energia all'accensione		1600	mj
Q rr	Carica di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	1200	μC
I rr	Corrente di recupero inverso del diodo	I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us	930	a)