Modulo IGBT 3300V

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

VGE = 0V, TC = 25 °C

3300

v

VGES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25 °C

± 20

v

- -

Corrente tra collettore ed emittente

TC = 100 °C

250

a)

IC(PK)

Corrente di picco del collettore

tP=1 ms

500

a)

Pmax

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

Diodo I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Tensione di isolamento - per modulo

(terminals comuni alla piastra base), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

Quadri

QPD

Scarico parziale - per modulo

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Il simbolo

parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

- Max. - Cosa?

unità

ICES

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V,VCE = VCES

1

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

15

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

25

- Mamma!

IGES

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente tensione

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

Se

Corrente di diodo in avanti

dc

250

a)

IFRM

Corrente di punta di diodo in avanti

tP = 1 ms

500

a)

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

v

sc sc

Corrente di cortocircuito

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

a)

ICES

Corrente di taglio del collettore

VGE = 0V,VCE = VCES

1

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 125 °C

15

- Mamma!

VGE = 0V, VCE = VCES, TC = 150 °C

25

- Mamma!

IGES

Corrente di perdita di portata

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)

Saturazione del collettore-emittente

tensione

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

Se

Corrente di diodo in avanti

dc

250

a)

IFRM

Corrente di punta di diodo in avanti

tP = 1 ms

500

a)

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

v

sc sc

Corrente di cortocircuito

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE (max) = VCES L (max) *2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

a)

td ((off)

Tempo di ritardo di spegnimento

Ic = 250 A,

v- - = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V- Non lo so.vGE =- Non lo so.±15 V,- Non lo so.rG ((OFF) = 9,0Ω - Sì. cGE = 56nF,

- Io...s = 150nH,

tVj= 25 °c

1480

NS

tVj= 125 °c

1550

tVj= 150 °c

1570

tf

Tempo di caduta

tVj= 25 °c

1280

NS

tVj= 125 °c

1920

tVj= 150 °c

2120

espento

Perdite di energia di spegnimento

tVj= 25 °c

300

mj

tVj= 125 °c

380

tVj= 150 °c

400

tD (in)

Tempo di ritardo di accensione

Ic = 250 A,

v- - = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V- Non lo so.vGE =- Non lo so.±15 V,- Non lo so.rG ((ON) = 6,0Ω - Sì. cGE = 56nF,

- Io...s = 150nH,

tVj= 25 °c

640

NS

tVj= 125 °c

650

tVj= 150 °c

650

tr

Tempo di risalita

tVj= 25 °c

220

NS

tVj= 125 °c

235

tVj= 150 °c

238

esu

Energia di accensione perdita

tVj= 25 °c

395

mj

tVj= 125 °c

510

tVj= 150 °c

565

QR

Diodo inverso

tassa di recupero

If = 250 A,

v- - = di potenza massima di potenza di potenza superiore a 1000 V

- Sì.If/dt = 1200A/us, (tVj= 125 °c).

tVj= 25 °c

190

μC

tVj= 125 °c

295

tVj= 150 °c

335

IR

Diodo inverso

corrente di recupero

tVj= 25 °c

185

a)

tVj= 125 °c

210

tVj= 150 °c

216

eRicerca

Diodo inverso

energia di recupero

tVj= 25 °c

223

mj

tVj= 125 °c

360

tVj= 150 °c

410