Modulo IGBT 1700V

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(valore)

(Unità)

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

V GE = 0V, TC= 25。c

1700

v

V GES

Tensione del portatore-emittente

TC= 25。c

± 20

v

I C

Corrente tra collettore ed emittente

TC  = 80。c

800

a)

I C ((PK)

Corrente di picco del collettore

t P=1ms

1600

a)

P max

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150。C, TC = 25。c

6.94

kW

- Non lo so.

Diodo I 2t

VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125。c

120

kA2s

Visol

Tensione di isolamento per modulo

(terminali comuni alla piastra base),

RMS AC, 1 min, 50Hz, TC= 25。c

4000

v

Q PD

Scarica parziale per modulo

IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c

10

pc

(Il simbolo)

 (parametro)

(Condizioni di prova)

(Min)

(tipo)

(- Max)

(unità)

I CES

Corrente di taglio del collettore

V GE = 0V,VCE  = VCES

1

- Mamma!

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

25

- Mamma!

I GES

Corrente di perdita di portata

V GE = ±20V, VCE = 0V

4

μA

V GE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

VCE (sat)

Tensione di saturazione del collettore-emettitore

V GE =15V, I C  = 800A

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

2.80

3.10

v

I F

Corrente di diodo in avanti

DCdc

800

a)

I FRM

Corrente di diodo massima in avanti

t P = 1ms

1600

a)

VF(*1)

Tensione di diodo in avanti

I F = 800A

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

1.80

2.10

v

C ies

Capacità di ingresso

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

60

NF

Q g

Importo della porta

±15V

9

μC

C res

Capacità di trasferimento inverso

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Non lo so.

NF

L M

Induttanza del modulo

20

- Non lo so.

R INT

Resistenza interna del transistor

270

μΩ

I SC

Corrente di cortocircuito, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

3700

a)

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

890

NS

t f

Tempo di caduta

220

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

220

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

320

NS

t r

Tempo di risalita

190

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

160

mj

Q rr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

260

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

510

a)

E rec

Energia di recupero inverso del diodo

180

mj

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

980

NS

t f

Tempo di caduta

280

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

290

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

400

NS

t r

Tempo di risalita

250

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

230

mj

Q rr

Carica di recupero inverso del diodo

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

420

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

580

a)

E rec

Energia di recupero inverso del diodo

280

mj