Modulo IGBT 3300V

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(valore)

(Unità)

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

Tensione gate-emettitore

± 20

v

I C

Corrente tra collettore ed emittente

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a)

I C ((PK)

Corrente di picco del collettore

1ms, T case = 140 °C

1000

a)

P max

Dissipazione di potenza massima del transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kW

- Non lo so.

Diode I t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Tensione di isolamento per modulo

 Terminali comuni alla piastra di base),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

v

Q PD

Scarica parziale per modulo

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

tcaso = 25 °c- Non lo so.t caso- Non lo so.= 25°c a meno che dichiarato altrimenti

(Il simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(Min)

(tipo)

(- Max)

(unità)

I CES

Corrente di taglio del collettore

v GE = 0V, v- -- Non lo so.= vCES

1

- Mamma!

v GE = 0V, v- -- Non lo so.= vCES - Sì. t caso =125 °C

30

- Mamma!

v GE = 0V, v- -- Non lo so.=vCES - Sì. t caso =150 °C

50

- Mamma!

I GES

Perdite nel gate corrente

v GE = ±20V, v- -- Non lo so.= 0V

1

μA

v GE (TH)

Tensione di soglia di ingresso

I c = 40- Mamma!- Sì. v GE =v- -

5.50

6.10

7.00

v

v- - (seduto)(*1)

Saturazione del collettore-emittente tensione

v GE = 15V,I C= 500a

2.40

2.90

v

v GE = 15V,I c- Non lo so.= 500A,tVj = 125 °c

2.95

3.40

v

v GE = 15V,I c- Non lo so.= 500A,tVj = 150 °c

3.10

3.60

v

I f

Corrente di diodo in avanti

dc

500

a)

I MF

Massimo diodo in conduzione corrente

t p = 1 millisecondo

1000

a)

vf(*1)

Tensione di diodo in avanti

I f = 500a

2.10

2.60

v

I f = 500A, tVj- Non lo so.= 125 °c

2.25

2.70

v

I f = 500A, tVj- Non lo so.= 150 °c

2.25

2.70

v

c- Non

Capacità di ingresso

v- - = 25V, v GE- Non lo so.= 0V,f = 1mhz

90

NF

Qg

Importo della porta

±15V

9

μC

cres

Capacità di trasferimento inversocitanza

v- - = 25V, v GE- Non lo so.= 0V,f = 1mhz

2

NF

- Io... m

modulo Induttanza

25

- Non lo so.

r int

Resistenza interna del transistor

310

μΩ

I sc

cortocircuito corrente, Isc

tVj = 150°C, v - Cc = 2500V, v GE ≤15 V,tp ≤10μs,

v- -(- Max) = vCES –- Io... (*2) ×di- Sì.dt- Sì.IEC 6074-9

1800

a)

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1720

NS

t f

Tempo di caduta

520

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

780

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

650

NS

tr

Tempo di risalita

260

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

730

mj

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

390

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

420

a)

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

480

mj

(Simbolo)

 (Parametro)

(Condizioni di prova)

(Min)

(tipico)

(Massimo)

(Unità)

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

NS

t f

Tempo di caduta

550

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

900

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

630

NS

tr

升时间Tempo di risalita

280

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

880

mj

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

620

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

460

a)

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

760

mj

(Simbolo)

(Parametro)

(Condizioni di prova)

(Min)

(Tipico)

(Massimo)

(Unità)

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

I C =500A VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH V GE = ±15V RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

NS

t f

 Tempo di caduta

560

NS

E OFF

Perdite di energia di spegnimento

1020

mj

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

620

NS

tr

 Tempo di salita

280

NS

EON

Perdita di energia all'accensione

930

mj

Qrr

Carica di recupero inverso del diodo

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

720

μC

I rr

Corrente di recupero inverso del diodo

490

a)

Erec

Energia di recupero inverso del diodo

900

mj