Modulo IGBT, 1700V 1200A
parametri chiave
vCES | 1700 | v | |
v- -(seduto) | (tipico) | 1.80 | v |
Ic | (massimo) | 1200 | a) |
IC ((RM) | (massimo) | 2400 | a) |
tipica Applicazioni
caratteristiche
Massimo assoluto rating
(Simbolo) | (Parametro) | (Condizioni di prova) | (valore) | (Unità) |
VCES | Tensione tra collettore ed emittente | V GE = 0V, TC= 25℃ | 1700 | v |
V GES | Tensione del portatore-emittente | TC= 25°C | ± 20 | v |
I C | Corrente tra collettore ed emittente | TC =75 °C | 1200 | a) |
I C ((PK) | Corrente di picco del collettore | t P=1ms | 2400 | a) |
P max | Dissipazione di potenza massima del transistor | Tvj = 150。C, TC = 25°C | 5.68 | kW |
- Non lo so. | Diodo I 2t | VR = 0V, t P = 10 ms, Tvj = 125°C | 130 | kA2s |
Visol | Tensione di isolamento per modulo | (terminali comuni alla piastra base), RMS AC, 1 min, 50Hz, TC= 25°C | 4000 | v |
Q PD | Scarica parziale per modulo | IEC1287. V1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25°C | 10 | pc |
Il nostro team di venditori professionisti aspetta la vostra consultazione.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.
EN
