Diodo a recupero rapido

Io _T(AV)

1208A

V _RRM

2200V 2500V

2800V 3000V

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

Tipo

max

IF(AV)

Corrente media diretta

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=85 ℃

150

1208

A

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

tp=10ms

150

2100

3000

V

IRRM

Corrente di picco ripetitiva

a V _RRM

150

100

mA

IFSM

Corrente di picco in avanti

10ms onda sinusoidale semionda VR=0.6V _RRM

150

16

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1280

A ²s*10 ³

VFO

Voltaggio di soglia

150

1.62

V

rF

Resistenza di pendenza in avanti

0.36

mΩ

VFM

Tensione di picco in avanti

ITM=1500A, F=24kN

25

2.80

V

IRM

Corrente di recupero inversa

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-60A/µs, VR=100V

150

166

A

trr

Tempo di recupero inverso

7

μs

Qrr

tassa di recupero

500

650

μC

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 180 ° sinusoidale, raffreddato a doppio lato Forza di serraggio 24kN

0.020

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

150

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

160

℃

Wt

Peso

440

g

Outline

ZT50cT