Modulo IGBT 1700V

GD650HFX170P1S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700V 650A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD650HFX170P1S

Introduzione
Outline

Introduzione

Breve introduzione azione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 650A

Caratteristiche

Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT TECNOLOGIA
10 μs Capacita' di cortocircuito Ilità
V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
Massimo temperatura di giunzione 175O C
Diode ingrandita per rigenerativa operazione
Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC
Alta potenza e capacità di ciclo termico tà

Tipico Applicazioni

Convertitore ad alta potenza
Energia eolica e solare
Azionamento di trazione

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti Nota

IGBT

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1700	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C	1073 650	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms	1300	A
P P	Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C	4.2	kw

Diodo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
V RRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	1700	V
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto	650	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	1300	A

Modulo

Il simbolo	Descrizione	valore	unità
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	O C
t - Giappone	Temperatura di funzionamento della giunzione	-40 a +150	O C
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +150	O C
V ISO	Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min	4000	V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C =650A,V GE = 15V, t j = 25 O C		1.90	2.35	V
		Io C =650A,V GE = 15V, t j = 125 O C		2.35
		Io C =650A,V GE = 15V, t j = 150 O C		2.45
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C	5.6	6.2	6.8	V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C			400	NA
R Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			2.3		Ω
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		72.3		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		1.75		NF
Q g	Importo della porta	V GE - Sì. 15…+15V		5.66		μC
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 O C		468		NS
t R	Tempo di risalita			86		NS
t P (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			850		NS
t F	Tempo di caduta			363		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			226		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			161		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 125O C		480		NS
t R	Tempo di risalita			110		NS
t P (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			1031		NS
t F	Tempo di caduta			600		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			338		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			226		mJ
t P (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC =900V,I C =650A, R Gon = 1,8Ω,R Goff =2.7Ω, V GE = ± 15V,T j = 150O C		480		NS
t R	Tempo di risalita			120		NS
t P (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			1040		NS
t F	Tempo di caduta			684		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			368		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			242		mJ
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 1000V, V CEM ≤1700V		2600		A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F =650A,V GE =0V,T j = 25 O C		1.85	2.30	V
		Io F =650A,V GE =0V,T j = 125O C		1.98
		Io F =650A,V GE =0V,T j = 150O C		2.02
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C		176		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			765		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			87.4		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C		292		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			798		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			159		mJ
Q R	Importo recuperato	V R =900V,I F =650A, -di/dt=5980A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C		341		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero			805		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia			192		mJ

NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	unità
R 25	Resistenza Nominale			5.0		kΩ
ΔR/R	Deviazione di R 100	t C = 100 O C,R 100=493.3Ω	-5		5	%
P 25	Potenza dissipazione				20.0	mW
B 25/50	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		k
B 25/80	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		k
B 25/100	Valore B	R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		k

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Min.	Tipo.	Max.	unità
L CE	Induttanza di deflusso		18		nH
R CC+EE	Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip		0.30		mΩ
R ilJC	Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)			35.8 71.3	K/kW
R thCH	Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo)		13.5 26.9 4.5		K/kW
m	Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5	1.8 8.0 3.0		2.1 10.0 6.0	N.M
g	Peso di Modulo		810		g