1700V 650A
Breve introduzioneazione
modulo IGBT, prodotto da STARPOWER. 1700V 650A
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni tC= 25OC a meno che altrimenti Nota
IGBT
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
VCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1700 | V |
VGES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
IoC | Corrente del collettore @ TC= 25OC @ TC= 100OC | 1073 650 | A |
IoCM | Corrente Collettore a Impulso tP=1 ms | 1300 | A |
PD | Dissipation di potenza massima @ Tj= 175OC | 4.2 | kw |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
VRRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1700 | V |
IoF | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto | 650 | A |
IoFM | Corrente in Avanti Massima del Diodo tP=1 ms | 1300 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | OC |
t- Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | OC |
tSTG | Temperatura di conservazioneAutonomia | -40 a +150 | OC |
VISO | Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
VCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | IoC=650A,VGE= 15V, tj= 25OC |
| 1.90 | 2.35 |
V |
IoC=650A,VGE= 15V, tj= 125OC |
| 2.35 |
| |||
IoC=650A,VGE= 15V, tj= 150OC |
| 2.45 |
| |||
VGE(th) | Limita di emissione della porta Tensione | IoC= 24,0mA,VCE=VGE, tj= 25OC | 5.6 | 6.2 | 6.8 | V |
IoCES | Collettore Taglio-OFF corrente | VCE=VCES,VGE=0V, tj= 25OC |
|
| 5.0 | mA |
IoGES | Perforazione del portello corrente | VGE=VGES,VCE=0V,tj= 25OC |
|
| 400 | NA |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 2.3 |
| Ω |
Cies | Capacità di ingresso | VCE= 25V, f=1MHz, VGE=0V |
| 72.3 |
| NF |
Cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.75 |
| NF | |
Qg | Importo della porta | VGE- Sì. 15…+15V |
| 5.66 |
| μC |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj= 25OC |
| 468 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 86 |
| NS | |
tD(OFF) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 850 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 363 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 226 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 161 |
| mJ | |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj= 125OC |
| 480 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 110 |
| NS | |
tD(OFF) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1031 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 600 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 338 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 226 |
| mJ | |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC=900V,IC=650A, rGon= 1,8Ω,RGoff=2.7Ω,VGE= ± 15V,Tj= 150OC |
| 480 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 120 |
| NS | |
tD(OFF) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1040 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 684 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 368 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 242 |
| mJ | |
IoSC |
Dati SC | tP≤ 10 μs,VGE= 15V, tj= 150OC,VCC= 1000V,VCEM≤1700V |
|
2600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
VF | Diodo di avanzamento Tensione | IoF=650A,VGE=0V,Tj= 25OC |
| 1.85 | 2.30 |
V |
IoF=650A,VGE=0V,Tj= 125OC |
| 1.98 |
| |||
IoF=650A,VGE=0V,Tj= 150OC |
| 2.02 |
| |||
Qr | Importo recuperato | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15Vtj= 25OC |
| 176 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 765 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 87.4 |
| mJ | |
Qr | Importo recuperato | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15V tj= 125OC |
| 292 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 798 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 159 |
| mJ | |
Qr | Importo recuperato | Vr=900V,IF=650A, -di/dt=5980A/μs,VGE- Sì. 15V tj= 150OC |
| 341 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 805 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recuperoenergia |
| 192 |
| mJ |
NTC Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
r25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Deviazione di r100 | tC= 100 OC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Potenza dissipazione |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | Valore B | r2=R25Esp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B25/80 | Valore B | r2=R25Esp[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B25/100 | Valore B | r2=R25Esp[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modulo Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
LCE | Induttanza di deflusso |
| 18 |
| nH |
rCC+EE | Modulo di resistenza al piombo,Terminal a chip |
| 0.30 |
| mΩ |
rilJC | Connessione con il caso (per IGB)T) Connessione con il caso (per D)iodio) |
|
| 35.8 71.3 | K/kW |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Cassa-sink (p)diodo) Cassa-sink (perModulo) |
| 13.5 26.9 4.5 |
| K/kW |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione TerminaleCoppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10.0 6.0 |
N.M |
g | Peso di Modulo |
| 810 |
| g |
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