Modulo IGBT 1700V

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

max

unità

Tensione tra collettore ed emittente

VCES

VGE =0V,Tvj ≥25°C

1700

V

Corrente di collettore DC

Ic

TC =80°C

3600

A

Corrente di picco del collettore

MIC

tp=1ms,Tc=80°C

7200

A

Tensione del portatore-emittente

VGES

-20

20

V

Dissipazione totale di potenza

Ptot

TC =25°C, per interruttore (IGBT)

17800

W

Corrente continua in avanti

IF

3600

A

Corrente di picco in avanti

IFRM

tP=1 ms

7200

A

Corrente di sovratensione

IFSM

VR =0V,Tvj =125°C,tp=10ms, onda sinusoidale metà

18000

A

IGBT cortocircuito SOA IGBT

tpsc

VCC =1200V,VCEMCHIP≤1700V VGE ≤15V,Tvj≤125°C

10

μs

Tensione di isolamento

Visol

1min, f=50Hz

4000

V

temperatura di giunzione

Tvj

175

℃

Temperatura di giunzione operativa

Tvj ((op)

-50

150

℃

Temperatura della cassa

TC

-50

125

℃

Temperatura di conservazione

TSTG

-50

125

℃

Coppie di montaggio

MS

4

6

Nm

Mt1

8

10

Mt2

2

3

Parametro

Il simbolo

Condizioni

min

Tipo

max

unità

Rottura del collettore (- emettitore) Tensione

V ((BR) CES

VGE =0V,IC=10mA, Tvj=25°C

1700

V

Tensione di saturazione del collettore-emettitore 

VCEsat

IC =3600A, VGE =15V

Tvj= 25°C

2.5

V

Tvj=125°C

3.0

V

Tvj=150°C

3.1

V

Corrente di taglio del collettore 

ICES

VCE =1700V, VGE =0V

Tvj= 25°C

10

mA

Tvj=125°C

100

mA

Tvj=150°C

170

mA

Corrente di perdita di portata 

IGES

VCE =0V,VGE =20V, Tvj =125°C

-500

500

NA

Tensione di soglia del portale-emittente 

VGE (th)

IC =240mA,VCE =VGE, Tvj =25°C

5.3

7.3

V

Importo della porta 

CdG

IC =2400A,VCE =900V, VGE =-15V … 15V

21.0

μC

Capacità di ingresso 

- Cies

VCE =25V,VGE =0V, f=1MHz,Tvj =25°C

239

NF

Capacità di uscita 

Coes

20.9

Capacità di trasferimento inverso 

Cres

9.24

Tempo di ritardo di accensione 

Td (in)

VCC =900V, IC =3600A, RG =2,2Ω , VGE =±15V, Lσ=280nH, 

Tvj = 25 °C

1200

NS

Tvj = 125 °C

1500

Tvj = 150 °C

1600

Tempo di risalita 

tr

Tvj = 25 °C

1400

Tvj = 125 °C

1600

Tvj = 150 °C

1700

Tempo di ritardo di spegnimento 

Td (off)

Tvj = 25 °C

3000

NS

Tvj = 125 °C

3500

Tvj = 150 °C

3700

Tempo di caduta 

TF

Tvj = 25 °C

500

Tvj = 125 °C

560

Tvj = 150 °C

620

Energia di perdita di commutazione all'accensione 

EON

Tvj = 25 °C

2700

mJ

Tvj = 125 °C

2900

Tvj = 150 °C

3200

Energia di perdita di commutazione allo spegnimento 

EOFF

Tvj = 25 °C

3800

mJ

Tvj = 125 °C

4100

Tvj = 150 °C

4400

Corrente di cortocircuito 

Isc

tpsc ≤ 10μs, VGE =15V, Tvj = 125°C,VCC = 1200V

10000

A