1200V 900A
Breve introduzione
modulo IGBT, prodotto da STARPOWER. 1200V 900A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni tC= 25OC a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
VCES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
VGES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
IoC | Corrente del collettore @ TC=90OC | 900 | A |
IoCM | Corrente Collettore a Impulso tP=1 ms | 1800 | A |
PD | Dissipation di potenza massima @ Tj= 175OC | 3409 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
VRRM | Volt inverso di picco ripetitivoEtà | 1200 | V |
IoF | Diodo di continua curvatura anterioreaffitto | 900 | A |
IoFM | Corrente in Avanti Massima del Diodo tP=1 ms | 1800 | A |
IoFSM | Corrente di Surge in Avanti tP=10ms @tj= 25OC @ Tj= 150OC | 4100 3000 | A |
Io2t | Io2Valore t, tP=10ms @ Tj= 25OC @ Tj= 150OC | 84000 45000 | A2s |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
tjmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | OC |
t- Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | OC |
tSTG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | OC |
VISO | Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V |
IGBT Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
VCE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | IoC= 900 A, VGE= 15V, tj= 25OC |
| 1.40 | 1.85 |
V |
IoC= 900 A, VGE= 15V, tj= 125OC |
| 1.60 |
| |||
IoC= 900 A, VGE= 15V, tj= 175OC |
| 1.65 |
| |||
VGE(th) | Limita di emissione della porta Tensione | IoC= 24,0mA,VCE=VGE, tj= 25OC | 5.5 | 6.3 | 7.0 | V |
IoCES | Collettore Taglio-OFF corrente | VCE=VCES,VGE=0V, tj= 25OC |
|
| 1.0 | mA |
IoGES | Perforazione del portello corrente | VGE=VGES,VCE=0V,tj= 25OC |
|
| 400 | NA |
rGint | Resistenza al cancello internoatteggiamento |
|
| 0.5 |
| Ω |
Cies | Capacità di ingresso | VCE= 25V, f=100 kHz, VGE=0V |
| 51.5 |
| NF |
Cres | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.36 |
| NF | |
Qg | Importo della porta | VGE- Sì. 15…+15V |
| 13.6 |
| μC |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC= 600V,IC= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGE=-8V/+15V, tj= 25OC |
| 330 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 140 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 842 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 84 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 144 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 87.8 |
| mJ | |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC= 600V,IC= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGE=-8V/+15V, tj= 125OC |
| 373 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 155 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 915 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 135 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 186 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 104 |
| mJ | |
tD(ON) | Tempo di ritardo di accensione |
VCC= 600V,IC= 900A,rg= 0,51Ω, Ls= 40nH, VGE=-8V/+15V, tj= 175OC |
| 390 |
| NS |
tr | Tempo di risalita |
| 172 |
| NS | |
td ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 950 |
| NS | |
tF | Tempo di caduta |
| 162 |
| NS | |
eON | Accendere Commutazione Perdita |
| 209 |
| mJ | |
eOFF | Sconto di accensione Perdita |
| 114 |
| mJ | |
IoSC |
Dati SC | tP≤ 8 μs,VGE= 15V, tj= 150OC,VCC= 800V, VCEM ≤1200V |
|
3200 |
|
A |
tP≤ 6 μs,VGE= 15V, tj= 175OC,VCC= 800V, VCEM ≤1200V |
|
3000 |
|
A |
Diodo Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
VF | Diodo di avanzamento Tensione | IoF= 900 A, VGE=0V,Tj= 25OC |
| 1.55 | 2.00 |
V |
IoF= 900 A, VGE=0V,Tj=125OC |
| 1.65 |
| |||
IoF= 900 A, VGE=0V,Tj=175OC |
| 1.55 |
| |||
Qr | Importo recuperato |
Vr= 600V,IF= 900A, - di/dt=4930A/μs,VGE= 8V,Ls= 40nH,tj= 25OC |
| 91.0 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 441 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 26.3 |
| mJ | |
Qr | Importo recuperato |
Vr= 600V,IF= 900A, - di/dt=4440A/μs,VGE= 8V,Ls= 40nH,tj= 125OC |
| 141 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 493 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 42.5 |
| mJ | |
Qr | Importo recuperato |
Vr= 600V,IF= 900A, - di/dt=4160A/μs,VGE= 8V,Ls= 40nH,tj= 175OC |
| 174 |
| μC |
IoRM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 536 |
| A | |
eRicerca | Ritorno al recupero energia |
| 52.4 |
| mJ |
NTC Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
r25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Deviazione di r100 | tC=100 OC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P25 | Potenza dissipazione |
|
|
| 20.0 | mW |
B25/50 | Valore B | r2=R25Esp[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B25/80 | Valore B | r2=R25Esp[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B25/100 | Valore B | r2=R25Esp[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modulo Caratteristiche tC= 25OC a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
LCE | Induttanza di deflusso |
| 20 |
| nH |
rCC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.80 |
| mΩ |
rilJC | Connessione con il caso (per IGB)T) Giunzione-a-Cassa (per Diodo) |
|
| 0.044 0.076 | C/W |
rthCH | Cassa-sink (perIGBT) Caso-a-Radiatore (per Diode) Cassa-sink (perModulo) |
| 0.028 0.049 0.009 |
| C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 350 |
| g |
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