GD900HFA120C6S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C =90 O C

900

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

3409

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

900

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1800

A

Io FSM

Corrente di Surge in Avanti t P =10ms @ t j = 25 O C @ T j = 150 O C

4100

3000

A

Io 2t

Io 2Valore t, t P =10ms @ T j = 25 O C

@ T j = 150 O C

84000

45000

A 2s

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di Isolazione RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 25 O C

1.40

1.85

V

Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 125 O C

1.60

Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 175 O C

1.65

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.5

6.3

7.0

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

51.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.36

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

13.6

μC

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 25 O C

330

NS

t R

Tempo di risalita

140

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

842

NS

t F

Tempo di caduta

84

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

144

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

87.8

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 125 O C

373

NS

t R

Tempo di risalita

155

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

915

NS

t F

Tempo di caduta

135

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

186

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

104

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 900A, R g = 0,51Ω, L s = 40nH, V GE =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

NS

t R

Tempo di risalita

172

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

950

NS

t F

Tempo di caduta

162

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

209

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

114

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 8 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤ 6 μs,V GE = 15V,

t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 25 O C

1.55

2.00

V

Io F = 900 A, V GE =0V,T j =1 25O C

1.65

Io F = 900 A, V GE =0V,T j =1 75O C

1.55

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4930A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t j = 25 O C

91.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

441

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.3

mJ

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4440A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t j = 125 O C

141

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

493

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

42.5

mJ

Q R

Importo recuperato

V R = 600V,I F = 900A,

- di/dt=4160A/μs,V GE = 8V, L s = 40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

536

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

52.4

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

R 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di R 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Potenza

dissipazione

20.0

mW

B 25/50

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

Valore B

R 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

R CC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.80

mΩ

R ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.044

0.076

C/W

R thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Caso-a-Radiatore (pe r Diode)

Cassa-sink (per Modulo)

0.028

0.049

0.009

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vattone M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g