Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD1200SGT120A3S

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IoC

Corrente Collettore @tC= 25℃

@ TC= 80℃

2100

1200

A

IoCM

Corrente Collettore a Impulso tP=1MS

2400

A

IoF

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

1200

A

IoFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo tP=1 ms

2400

A

PD

Dissipation di potenza massima @ Tj=175℃

7.61

kw

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

tSTG

Temperatura di conservazioneAutonomia

-40 a +125

℃

VISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montaggio Coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V(BR)CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

tj= 25℃

1200

V

IoCES

Collettore Taglio-OFF

corrente

VCE=VCES,VGE=0V,tj= 25℃

5.0

mA

IoGES

Perforazione del portello corrente

VGE=VGES,VCE=0V, tj= 25℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VGE(th)

Limita di emissione della porta Tensione

IoC= 48mA,VCE=VGE, tj= 25℃

5.0

5.8

6.5

V

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IoC= 1200A,VGE= 15V, tj= 25℃

1.70

2.15

V

IoC= 1200A,VGE= 15V, tj= 125℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC= 1200A,

rGon=1,8Ω,rGoff= 0,62Ω,VGE= ± 15V,Tj= 25℃

550

NS

tr

Tempo di risalita

230

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

830

NS

tF

Tempo di caduta

160

NS

eON

Accendere Commutazione Perdita

/

mJ

eOFF

Sconto di accensione Perdita

/

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC= 1200A,    

rGon= 1,8Ω,RGoff= 0,62Ω,VGE= ± 15V,Tj= 125℃

650

NS

tr

Tempo di risalita

240

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

970

NS

tF

Tempo di caduta

190

NS

eON

Accendere Commutazione Perdita

246

mJ

eOFF

Sconto di accensione Perdita

189

mJ

Cies

Capacità di ingresso

VCE= 25V, f=1MHz,

VGE=0V

85.5

NF

C- Non

Capacità di uscita

4.48

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

3.87

NF

IoSC

Dati SC

tP≤ 10 μs,VGE=15 V,

tj= 125°C,

VCC= 900V, VCEM≤ 1200V

4800

A

rGint

Porta interna

resistenza

1.9

Ω

LCE

Induttanza di deflusso

15

nH

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.10

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IoF= 1200A

tj= 25℃

1.65

2.05

V

tj= 125℃

1.65

Qr

Ricostruito

carica

IoF= 1200A,

Vr= 600V,

rGon= 0,6Ω,

VGE= 15V

tj= 25℃

112

μC

tj= 125℃

224

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25℃

850

A

tj= 125℃

1070

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25℃

48.0

mJ

tj= 125℃

96.0

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

19.7

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

31.3

K/kW

rθCS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

8

K/kW

Peso

Peso     Modulo

1050

g