Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD2400SGT120C4S

Unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IoC

Corrente Collettore @tC= 25℃

@ TC= 100℃

3800

2400

A

IoCM

Corrente Collettore a Impulso tP=1MS

4800

A

IoF

Diodo di continua curvatura anterioreaffitto

2400

A

IoFM

Corrente in Avanti Massima del Diodo tP=1 ms

4800

A

PD

Dissipation di potenza massima @ Tj=175℃

12.9

kw

tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

tSTG

Temperatura di conservazioneAutonomia

-40 a +125

℃

VISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

3400

V

Montaggio Coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Peso

Peso di Modulo

2300

g

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V(BR)CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

tj= 25℃

1200

V

IoCES

Collettore Taglio-OFF

corrente

VCE=VCES,VGE=0V,tj= 25℃

5.0

mA

IoGES

Perforazione del portello corrente

VGE=VGES,VCE=0V, tj= 25℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VGE(th)

Limita di emissione della porta Tensione

IoC=96mA,VCE=VGE, tj= 25℃

5.0

5.8

6.5

V

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IoC=2400A,VGE= 15V, tj= 25℃

1.70

2.15

V

IoC=2400A,VGE= 15V, tj= 125℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj= 25℃

600

NS

tr

Tempo di risalita

215

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

810

NS

tF

Tempo di caduta

145

NS

eON

Accendere Commutazione

Perdita

/

mJ

eOFF

Sconto di accensione

Perdita

/

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=2400A, rGon= 1.2Ω,

rGoff=0.3Ω,

VGE= ± 15V,Tj= 125℃

695

NS

tr

Tempo di risalita

235

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

970

NS

tF

Tempo di caduta

182

NS

eON

Accendere Commutazione

Perdita

488

mJ

eOFF

Sconto di accensione

Perdita

382

mJ

Cies

Capacità di ingresso

VCE= 25V, f=1MHz,

VGE=0V

173

NF

C- Non

Capacità di uscita

9.05

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

7.85

NF

IoSC

Dati SC

tP≤ 10 μs,VGE=15 V,

tj= 125°C,VCC= 900V, VCEM≤ 1200V

9600

A

Qg

Importo della porta

VCC= 600V,IC=2400A, VGE=-15 ﹍+15V

23.0

μC

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0.42

Ω

LCE

Induttanza di deflusso

10

nH

rCC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.12

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IoF=2400A

VGE=0V

tj= 25℃

1.65

2.05

V

tj= 125℃

1.65

Qr

Ricostruito

carica

IoF=2400A,

Vr= 600V,

rGon=0.3Ω,

VGE= 15V

tj= 25℃

240

μC

tj= 125℃

460

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

tj= 25℃

1650

A

tj= 125℃

2150

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

tj= 25℃

/

mJ

tj= 125℃

208

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

rθJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

11.6

K/kW

rθJC

Connessione con il caso (per D)iodio)

19.7

K/kW

rθCS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo)mentito)

4

K/kW