GD2400SGT120C4S,Modulo IGBT,STARPOWER

Il simbolo

Descrizione

GD2400SGT120C4S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 100℃

3800

2400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

4800

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

2400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

4800

A

P P

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

12.9

kw

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

3400

V

Montaggio Coppia

Vite del Terminale di Segnale:M4

1.8 a 2.1

Vite del Terminale di Potenza:M8

8.0 a 10

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

4.25 a 5.75

Peso

Peso di Modulo

2300

g

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =96 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =2400A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.70

2.15

V

Io C =2400A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j = 25 ℃

600

NS

t R

Tempo di risalita

215

NS

t P (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

810

NS

t F

Tempo di caduta

145

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

/

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

/

mJ

t P (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =2400A, R Gon = 1.2Ω,

R Goff =0.3Ω,

V GE = ± 15V,T j = 125℃

695

NS

t R

Tempo di risalita

235

NS

t P (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

970

NS

t F

Tempo di caduta

182

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

488

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

382

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

173

NF

C - Non

Capacità di uscita

9.05

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

7.85

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

9600

A

Q g

Importo della porta

V CC = 600V,I C =2400A, V GE =-15 ﹍+15V

23.0

μC

R Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.42

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

10

nH

R CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.12

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =2400A

V GE =0V

t j = 25 ℃

1.65

2.05

V

t j = 125 ℃

1.65

Q R

Ricostruito

carica

Io F =2400A,

V R = 600V,

R Gon =0.3Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

240

μC

t j = 125 ℃

460

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

1650

A

t j = 125 ℃

2150

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

/

mJ

t j = 125 ℃

208

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

R θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

11.6

K/kW

R θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

19.7

K/kW

R θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

4

K/kW