Y50KFE,Non Simmetrico a Spegnimento Rapido Tiro

Spegnimento rapido

Y50KFE,tiristore a spegnimento rapido non simmetrico

Parte n. L'indice di emissione è il seguente:

Brand:

TECHSEM

Spu:

L'indice di emissione è il seguente:

Appurtenance:

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Introduzione
Outline

Introduzione

Io T(AV)	1494A
V DRM	1200V~ 2000V
V RRM	1000V~ 1800V
t Q	15~ 55μs

Caratteristiche

Porte amplificanti interdigitated
Accensione rapida e alta di/dt
Basse perdite di cambio

Applicazioni tipiche

Calore induttivo
Saldatrici elettroniche
Invertitori autocommutati

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova			Tj(℃ )	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova			Tj(℃ )	min	Tipo	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,		TC=55℃	125			1494	A
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione			TC=70℃	125			1243	A
VDRM	Tensione di picco ripetitiva in stato di off	tp=10ms			125	1200		2000	V
VRRM	Tensione inversa di picco ripetitiva	tp=10ms			125	1000		1800	V
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM			125			80	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM			125			17	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM			125			1445	A2s* 103
VTO	Voltaggio di soglia				125			1.57	V
rT	Resistenza alla pendenza in stato attivo				125			0.21	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=3000A, F=24kN	15 μs≤tq≤28 μs		25			2.50	V
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=3000A, F=24kN	29 μs≤tq≤55 μs		25			2.10	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=0.67VDRM			125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	VDM= 67%VDRM a 1600A, Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM= 1.5A			125			1500	A/μs
Qrr	tassa di recupero	ITM= 1000A,tp=4000μs, di/dt=-20A/μs, VR= 100V			125		750		μC
Tq	Tempo di spegnimento commutato da circuito	ITM= 1000A,tp=4000μs,VR= 100V dv/dt=30V/μs,di/dt=-20A/μs			125	15		55	μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A			25	40		300	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate					0.9		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento					20		500	mA
IL	Corrente di aggancio							1000	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM			125			0.3	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	A 1800 seno, doppio lato raffreddato Forza di fissaggio 24kN						0.020	。C /W
Rth(c-h)	Resistenza termica dal case al dissipatore di calore							0.005	。C /W
FM	Forza di montaggio					19		26	kN
Tvj	temperatura di giunzione					-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento					-40		140	℃
Wt	Peso						440		g
Outline	KT50cT