Tiristore ad Alta Frequenza

Io T(AV)

1260A

V DRM V RRM

1200V 1400V

Tq

12 - 28 μs

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

Tipo

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° onda sinusoidale metà 50Hz raffreddato su entrambi i lati,

TC=55 。C

125

1260

A

VDRM VRRM

Tensione di picco ripetitiva in stato di off Tensione di picco inversa ripetitiva

tp=10ms

125

1100

1400

V

Idrm Irrm

Corrente di off-state di picco ripetitiva Corrente di picco inversa ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

80

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

10ms onda sinusoidale metà VR=0.6VRRM

125

16.3

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

1328

A2s*103

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.65

V

rT

Resistenza di slop in stato on

0.36

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=2400A, F=24kN

25

3.20

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=0.67VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

VDM= 67% VDRM, fino a 2000A

Impulso di gate tr ≤0.5μs IGM=1.5A

125

1500

A/μs

Qrr

tassa di recupero

ITM=1000A, tp=4000µs, di/dt=-20A/µs, VR=100V

125

87

100

μC

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM=1000A, tp=4000µs, VR=100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

12

28

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA=12V, IA=1A

25

30

250

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

20

400

mA

IL

Corrente di aggancio

500

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.3

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno, doppio lato raffreddato Forza di fissaggio 24kN

0.020

。C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica dal case al dissipatore di calore

0.005

FM

Forza di montaggio

19

26

kN

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

。C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

140

。C

Wt

Peso

440

g

Outline

KT50cT