MTx1200 MFx1200, moduli tiristor/diodo, raffreddamento dell'aria.

raffreddamento ad aria

MTx1200 MFx1200, Moduli di Thyristor/Diode, Raffreddamento ad Aria

1200A, 600V~1800V, 412F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

Modello MTx1200 MFx1200

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/Modulo di diodo,MTx1200,MFx1200，1200A,raffreddamento ad aria,Prodotto da TECHSEM.

VRRM,VDRM	Tipo e contorno
600V	Numero di modello: MTx1200-06-412F3	Numero di modello: MFx1200-06-412F3
800V	Numero di modello: MTx1200-08-412F3	Numero di modello: MFx1200-08-412F3
1000V	Modello MTx1200-10-412F3	Numero di modello: MFx1200-10-412F3
1200V	Modello MTx1200-12-412F3	Numero di modello: MFx1200-12-412F3
1400V	Modello MTx1200-14-412F3	Numero di modello: MFx1200-14-412F3
1600V	Modello MTx1200-16-412F3	Numero di modello: MFx1200-16-412F3
1800V	Modello MTx1200-18-412F3	Numero di modello: MFx1200-18-412F3
1800V	Modello MT1200-18-412F3G

MTx significa qualsiasitipo di MTC, MTA, MTK

MFx sta per qualsiasi tipoe di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	min	Tipo	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180°mezza onda sinusoidale 50Hz Raffreddato su un solo lato, TC=60℃	125			1200	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			1884	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			55	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM,,t=10ms semiseno,	125			26	kA
I2t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM,,t=10ms semiseno,	125			3380	10³A²s
VTO	Voltaggio di soglia		125			0.70	V
rT	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.14	mΩ
VTM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=3000A	25			1.96	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
IGT	Corrente di attivazione del gate	VA=12V, IA=1A	25	30		200	mA
Vgt	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
IH	Corrente di mantenimento			10		200	mA
IL	Corrente di aggancio					1500	mA
VGD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
Rth(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	A 180°seno. Raffreddato da un lato per chip				0.048	℃/W
Rth(c-h)	Resistenza termica case a dissipatore	A 180°seno. Raffreddato da un lato per chip				0.020	℃/W
VISO	Tensione di isolamento	50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max)		3000			V
FM	Torsione di connessione terminale ((M12)			12.0		16.0	N·m
FM	Torsione di montaggio ((M8)			10.0		12.0	N·m
Tvj	temperatura di giunzione			-40		125	℃
TSTG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				3660		g
Outline	412F3