MTx1200 MFx1200 MT1200, moduli tiristor/diodo, raffreddamento ad acqua

raffreddamento ad acqua

MTx1200 MFx1200 MT1200,Moduli Thyristor/Diode,Raffreddamento a acqua

1200A,600V~1800V, 411F3

Brand:

TECHSEM

Spu:

MT1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1c1

Appurtenance:

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Introduzione
Outline
Schema del circuito equivalente

Introduzione

Breve introduzione

Tiristore/Modulo di diodo, MTx1200 MFx1200 MT1303 attività di investimento，raffreddamento ad acqua，Prodotto da TECHSEM.1200A. - Sì.

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

600V

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3 MT3

MFx1200-06-411F3 MFx1200-08-411F3 MFx1200-10-411F3 MFx1200-12-411F3 MFx1200-14-411F3 MFx1200-16-411F3 MFx1200-18-411F3

MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK

MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK

Caratteristiche

Base di montaggio isolata 3000V~
Tecnologia di contatto a pressione con
Maggiore capacità di cicli di potenza
Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

Motori a corrente alternata
Vari rettificatori
Fornitura di corrente continua per inversione PWM

Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	valore			unità
Il simbolo	Caratteristica	Condizioni di prova	Tj(℃)	min	Tipo	max	unità
IT(AV)	Corrente media in stato di accensione	180°mezza onda sinusoidale 50Hz Conducibile a raffreddamento a lato singolo, THS=55℃	125			1200	A
IT(RMS)	Corrente di stato RMS		125			1884	A
Idrm Irrm	Corrente di picco ripetitiva	a VDRM a VRRM	125			55	mA
ITSM	Corrente di sovratensione in stato di accensione	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			26.0	kA
Io²t	I2t per coordinazione fusibile	VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno	125			3380	10³A²s
V_To	Voltaggio di soglia		125			0.83	V
r_t	Resistenza di pendenza in stato di accensione		125			0.14	mΩ
V_TM	Tensione di picco in stato di accensione	ITM=3000A	25			1.88	V
dv/dt	Tasso critico di aumento della tensione in stato di off	VDM=67%VDRM	125			1000	V/μs
di/dt	Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento	Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo	125			200	A/μs
Io_GT	Corrente di attivazione del gate	VA= 12V, IA= 1A	25	30		200	mA
V_GT	Tensione di attivazione del gate			0.8		3.0	V
Io_H	Corrente di mantenimento			10		200	mA
Io_L	Corrente di aggancio					1000	mA
V_GD	Tensione di gate non attivata	VDM=67%VDRM	125			0.20	V
r_th(j-c)	Resistenza termica Giunzione a custodia	Frigoriferi a lato singolo per chip				0.048	℃/W
r_{th ((c-h)}	Resistenza termica case a dissipatore	Frigoriferi a lato singolo per chip				0.018	℃/W
V_ISO	Tensione di isolamento	50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)		3000			V
FM	Torsione di connessione terminale ((M12)			12		16	N·m
FM	Torsione di montaggio ((M8)			10		12	N·m
t_Vj	temperatura di giunzione			-40		125	℃
t_STG	Temperatura di immagazzinamento			-40		125	℃
Wt	Peso				3230		g
Outline	411F3