1000A, 2000V~2500V, 412F3
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Breve introduzione
Tiristore/Modulo di diodo, MTx1000 MFx1000 MT1000，1000A,raffreddamento ad aria，Prodotto da TECHSEM.
VRRM,VDRM | Tipo e contorno |
| |
2000 V 2200V 2500 V 2500 V | Modello MTx1000-20-412F3 Numero di modello: MTx1000-22-412F3 Numero di modello: MTx1000-25-412F3 Codice articolo: MT1000-25-412F3G | Numero di modello: MFx1000-20-412F3 Numero di modello: MFx1000-22-412F3 Numero di modello: MFx1000-25-412F3 |
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MTx significa qualsiasi tipo di MTC, MTA, MTK MFx significa qualsiasi tipo di MFC, MFA, MFK | |||
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Il simbolo |
Caratteristica |
Condizioni di prova | Tj(℃) | valore |
unità | ||
min | Tipo | max | |||||
IT(AV) | Corrente media in stato di accensione | 180°mezza onda sinusoidale 50Hz Cambio di temperatura (TC = 55)℃ |
125 |
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| 1000 | A |
IT(RMS) | Corrente di stato RMS |
|
| 1570 | A | ||
Idrm Irrm | Corrente di picco ripetitiva | a VDRM a VRRM | 125 |
|
| 60 | mA |
ITSM | Corrente di sovratensione in stato di accensione | VR=60%VRRM, t=10ms mezzo seno | 125 |
|
| 18 | kA |
I2t | I2t per coordinazione fusibile | 125 |
|
| 1620 | 103A2s | |
VTO | Voltaggio di soglia |
|
125 |
|
| 0.85 | V |
rT | Resistenza di pendenza in stato di accensione |
|
| 0.24 | mΩ | ||
VTM | Tensione di picco in stato di accensione | ITM=3000A | 25 |
|
| 2.40 | V |
dv/dt | Tasso critico di aumento della tensione in stato di off | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 1000 | V/μs |
di/dt | Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento | Gate source 1.5A tr ≤0.5μs Ripetitivo | 125 |
|
| 200 | A/μs |
IGT | Corrente di attivazione del gate |
VA=12V, IA=1A |
25 | 30 |
| 200 | mA |
Vgt | Tensione di attivazione del gate | 0.8 |
| 3.0 | V | ||
IH | Corrente di mantenimento | 20 |
| 200 | mA | ||
IL | Corrente di aggancio |
|
| 1000 | mA | ||
VGD | Tensione di gate non attivata | VDM=67%VDRM | 125 |
|
| 0.20 | V |
Rth(j-c) | Resistenza termica Giunzione a custodia | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.048 | ℃/W |
Rth(c-h) | Resistenza termica case a dissipatore | Raffreddato da un lato per chip |
|
|
| 0.030 | ℃/W |
VISO | Tensione di isolamento | 50Hz, R.M.S, t=1min, Iiso:1mA(max) |
| 3000 |
|
| V |
FM | Torsione di connessione terminale ((M12) |
|
| 12 |
| 16 | N·m |
Torsione di montaggio ((M8) |
|
| 10 |
| 12 | N·m | |
Tvj | temperatura di giunzione |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
TSTG | Temperatura di immagazzinamento |
|
| -40 |
| 125 | ℃ |
Wt | Peso |
|
|
| 3660 |
| g |
Outline | 412F3 | ||||||
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