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Moduli di tiristore a spegnimento rapido

Moduli di tiristore a spegnimento rapido

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MK(H)x400 MK400,Moduli di Tirostori a Spegnimento Rapido,Raffreddamento ad Acqua

400A,800V~1800V,406F3

Brand:
TECHSEM
Spu:
MK(H)x400 MK400
Appurtenance:

Brochure del prodotto:Scarica

  • Introduzione
  • Outline
  • Schema del circuito equivalente
Introduzione

Breve introduzione

Moduli di tiristore a spegnimento rapido ,MK(H)x400 MK400 ,4 00A .Acqua raffreddamento, prodotto da TECHSEM .

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

800V

MKx400-08-406F3

MHx400-08-406F3

1000V

MKx400-10-406F3

MHx400-10-406F3

1200V

MKx400-12-406F3

MHx400-12-406F3

1400V

MKx400-14-406F3

MHx400-14-406F3

1600V

MKx400-16-406F3

MHx400-16-406F3

1800V

MKx400-18-406F3

MHx400-18-406F3

1800V

MK400-18-406F3G

MKx sta per qualsiasi tipo di MKC, MKA, MKK

MHx sta per qualsiasi tipo di MHC, MHA, MHK

Caratteristiche

  • Base di montaggio isolata 2500V~
  • Tecnologia di contatto a pressione con Maggiore capacità di cicli di potenza
  • Risparmio di spazio e peso

Applicazioni tipiche

  • Inverter
  • Calore induttivo
  • Chopper

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj(°C)

valore

unità

min

Tipo

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

Onda sinusoidale mezza 180° 50Hz Raffreddato da un lato,Tc=55°C

125

400

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

628

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

80

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

Onda sinusoidale mezza 10ms VR=60%VRRM

125

7.8

kA

Io 2t

I2t per coordinazione fusibile

310

103A 2s

VTO

Voltaggio di soglia

125

1.22

V

r t

Resistenza di pendenza in stato di accensione

0.80

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM= 1200A

25

2.40

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

800

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

Tq

Tempo di spegnimento commutato da circuito

ITM= 300A, tp=4000µs, VR= 100V dv/dt=30V/µs, di/dt=-20A/µs

125

20

40

μs

25

6

16

μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.8

3.0

V

IH

Corrente di mantenimento

10

200

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM= 67%VDRM

125

0.2

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

Raffreddato da un lato per chip

0.087

°C /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

Raffreddato da un lato per chip

0.040

°C /W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

2500

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M10)

10.0

12.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

°C

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

°C

Wt

Peso

1580

g

Outline

406F3

Outline

Schema del circuito equivalente

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