Modulo di tiristore/rettificatore per saldatura

VRRM,VDRM

Tipo e contorno

800V

1000V

1200V

1400V

1600V

1800V

MFC26-08-224H3

MFC26-10-224H3

MFC26-12-224H3

MFC26-14-224H3

MFC26-16-224H3

MFC26-18-224H3

Il simbolo

Caratteristica

Condizioni di prova

Tj( ℃ )

valore

unità

min

Tipo

max

IT(AV)

Corrente media in stato di accensione

180° mezza onda sinusoidale 50Hz

Raffreddato da un solo lato, TC=85 ℃

125

26

A

IT(RMS)

Corrente di stato RMS

41

A

Idrm Irrm

Corrente di picco ripetitiva

a VDRM a VRRM

125

15

mA

ITSM

Corrente di sovratensione in stato di accensione

VR=60%VRRM,,t= 10ms mezza sinusoide,

125

1.6

kA

I2t

I2t per coordinazione fusibile

125

12.8

10³A ²s

VTO

Voltaggio di soglia

125

0.75

V

rT

Resistenza di pendenza in stato di accensione

7.68

mΩ

VTM

Tensione di picco in stato di accensione

ITM=80A

25

1.55

V

dv/dt

Tasso critico di aumento della tensione in stato di off

VDM=67%VDRM

125

1000

V/μs

di/dt

Tasso critico di aumento della corrente in stato di funzionamento

Gate source 1.5A

tr ≤0.5μs Ripetitivo

125

200

A/μs

IGT

Corrente di attivazione del gate

VA= 12V, IA= 1A

25

30

200

mA

Vgt

Tensione di attivazione del gate

0.6

2.5

V

IH

Corrente di mantenimento

10

250

mA

IL

Corrente di aggancio

1000

mA

VGD

Tensione di gate non attivata

VDM=67%VDRM

125

0.20

V

Rth(j-c)

Resistenza termica Giunzione a custodia

A 1800 seno. Raffreddato da un lato per chip

0.900

℃ /W

Rth(c-h)

Resistenza termica case a dissipatore

A 1800 seno. Raffreddato da un lato per chip

0.150

℃ /W

VISO

Tensione di isolamento

50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX)

3000

V

FM

Coppia di collegamento terminale (M5)

2.5

4.0

N·m

Coppia di montaggio (M6)

4.5

6.0

N·m

Tvj

temperatura di giunzione

-40

125

℃

TSTG

Temperatura di immagazzinamento

-40

125

℃

Wt

Peso

100

g

Outline

224H3