Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

GD400HFT170C3S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 100℃

615

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

800

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

2.49

kw

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura massima di giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4

1.8 a 2.1

Torsione di connessione terminale, Vite M8

8.0 a 10

N.M

Torsione di montaggio Vite M6

4.25 a 5.75

g

Peso di Modulo

1500

g

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1700

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

2.00

2.45

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.40

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE =± 15V, t j = 25 ℃

281

NS

t r

Tempo di risalita

79

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

795

NS

t F

Tempo di caduta

120

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

104

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

86

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE =± 15V, t j = 125 ℃

299

NS

t r

Tempo di risalita

102

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

998

NS

t F

Tempo di caduta

202

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

136

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

124

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

35.3

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.17

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

3.1

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.37

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125 ℃

1.90

Q r

Ricostruito

carica

Io F = 400A,

V r = 900V,

r g =3.6Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

100

μC

t j = 125 ℃

170

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

440

A

t j = 125 ℃

480

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

54.0

mJ

t j = 125 ℃

95.0

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

60.3

K/kW

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

109

K/kW

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

6

K/kW