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Modulo IGBT 1700V

Modulo IGBT 1700V

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GD400CUT170C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1700 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400CUT170C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1700V 400A.

Caratteristiche

  • Basso VCE(sat) Trincea IGBT Tecnologia
  • Basse perdite di cambio
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Applicazioni tipiche

  • Motori a inverter alternativi
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione

IGBT t C = 25 a meno che altrimenti notato

Valori massimi nominali

Il simbolo

Descrizione

GD400CUT170C2S

Unità

V CES

Tensione Collettore-Emettitore @ T j = 25

1700

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25

@ T C = 80

650

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P - Non

Dissipazione totale di potenza @ T j = 150

2403

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 150

10

μs

Non caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25

1700

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25

3.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25

400

NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta

Tensione

Io C = 16mA,V CE =V GE , t j = 25

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25

2.00

2.45

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125

2.40

Caratteristiche di cambio

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25

278

NS

t r

Tempo di risalita

81

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

802

NS

t F

Tempo di caduta

119

NS

e ON

Accendere Perdite di cambio

104

mJ

e OFF

Perdita di Commutazione di Spegnimento

86

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125

302

NS

t r

Tempo di risalita

99

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

1002

NS

t F

Tempo di caduta

198

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

V CC =900V,I C = 400A, r g =3.6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125

136

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

124

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

36

PF

C - Non

Capacità di uscita

1.5

PF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.2

PF

r Gint

Resis interna della porta - Sotto il mio nome.

1.9

Ω

Io SC

Dati SC

t P 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 V CC = 1000V, V CEM di potenza superiore a 600 V

1600

A

Diodo t C = 25 a meno che altrimenti notato

Valori massimi nominali

Il simbolo

Descrizione

GD400CUT170C2S

Unità

V RRM

Tensione di Picco Repetitiva Inversa @ Tj=25

1700

V

Io F

Corrente Diretta Continua @ T C = 80

100

A

Io MF

Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms

200

A

Io 2t

Io 2Valore t,V r =0V,T P =1 0ms,T j = 125

1800

A 2s

Caratteristiche Valori

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 100A,V GE =0V

t j = 25

1.80

2.20

V

t j = 125

1.90

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 100A,

V r = 900V,

di/dt=-2450A/μs, V GE - Sì. 15V

t j = 25

29.0

μC

t j = 125

48.5

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25

155

A

t j = 125

165

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25

15.5

mJ

t j = 125

27.5

modulo IGBT

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE

Modulo di resistenza al piombo, terminale al chip @ T C = 25

0.35

m Ω

r θ JC

Connessione con il caso

(IGBT-inverter, per 1/2 Modu (le)

0.052

C/W

Connessione con il caso

(diodo-sparatore di freno per 1/2 modulo)

0.280

r θ CS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)

0.035

C/W

t j

Temperatura massima di giunzione

150

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40

125

Montaggio

Coppia

Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

2.5

5.0

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3.0

5.0

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

image(c3756b8d25).png

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