Modulo IGBT 1700V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1700

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Ic

Corrente Collettore @ TC=25oC

Corrente del collettore @ TC=65oC

4446

3600

A

MIC

Corrente Collettore Impulsata tp=1ms

7200

A

PD

Dissipazione Massima di Potenza @ Tj=175oC

15.3

kw

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VRRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1700

V

IF

Diodo di corrente continua in avanti

3600

A

IFM

Corrente Massima in Avanti del Diodo tp=1ms

7200

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

Tjmax

Temperatura massima di giunzione

175

^O C

- Non lo so.

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

^O C

TSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

^O C

VISO

Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

2.00

2.45

V

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

2.40

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

2.50

VGE (th)

Tensione di soglia del portale-emittente

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

V

ICES

Interruzione del Collettore

corrente

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

5.0

mA

IGES

Corrente di perdita del portatore-emettitore

VGE=VGES,VCE=0V,Tj=25oC

400

NA

RGint

Resistenza interna della porta

0.53

Ω

- Cies

Capacità di ingresso

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

240

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

8.64

NF

CdG

Importo della porta

VGE=+15…+15V

21.6

μC

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

660

NS

tr

Tempo di risalita

280

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1600

NS

TF

Tempo di caduta

175

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

650

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

1100

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=125oC

740

NS

tr

Tempo di risalita

290

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1800

NS

TF

Tempo di caduta

315

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

800

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

1500

mJ

Td (in)

Tempo di ritardo di accensione

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V, Tj=150oC

780

NS

tr

Tempo di risalita

295

NS

Td (off)

Tempo di ritardo di spegnimento

1850

NS

TF

Tempo di caduta

395

NS

EON

Accendere il comando

Perdita

900

mJ

EOFF

Sconto di accensione

Perdita

1600

mJ

Isc

Dati SC

tP≤10μs,VGE=15V,

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

14

kA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

1.80

2.25

V

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

1.95

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

1.90

Qr

Importo recuperato

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

730

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

2600

A

Erec

Energia di recupero inverso

490

mJ

Qr

Importo recuperato

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

1350

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

3150

A

Erec

Energia di recupero inverso

950

mJ

Qr

Importo recuperato

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

1550

μC

IRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

3300

A

Erec

Energia di recupero inverso

1100

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

LCE

Induttanza di deflusso

6.0

nH

RCC+EE

Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip

0.12

mΩ

RthJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità

Connessione con cassa (per diodo)

9.8

16.3

K/kW

RthCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

Cassa-sink (per modulo)

6.5

10.7

4.0

K/kW

m

Coppia di Collegamento del Terminale, Vite M4 Coppia di Collegamento del Terminale, Vite M8 Coppia di Montaggio, Vite M6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

N.M

g

Peso del modulo

2300

g