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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD600SGY120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600SGY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT Tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuito Ilità
  • V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175O C
  • Induttanza bassa Caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata usi ng tecnologia HPS DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori D Riva
  • Corrente alternata e corrente continua servo Trasmissione amplificatore
  • Alimentazione ininterrotta fornitura

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C =100 O C

1000

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1200

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

3409

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1200

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.95

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 15.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.7

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

62.1

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.74

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.66

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.5Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

257

NS

t r

Tempo di risalita

96

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

628

NS

t F

Tempo di caduta

103

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

37.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

51.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.5Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 O C

268

NS

t r

Tempo di risalita

107

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

659

NS

t F

Tempo di caduta

144

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

53.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

77.3

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.5Ω,

V GE =± 15V, t j = 150 O C

278

NS

t r

Tempo di risalita

118

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

NS

t F

Tempo di caduta

155

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

58.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

82.4

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Io F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 25 O C

61.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

280

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

20.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 125O C

114

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

415

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

43.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 150O C

128

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

443

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

50.0

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.18

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.044

0.078

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.016

0.028

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

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