1200V 600A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io CN | Collettore Cu implementato Renta | 600 | A |
Io C | Corrente del collettore @ T F = 85 O C | 450 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 1200 | A |
P D | Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t j = 175 O C | 970 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V RRM | Pico ripetitivo volta inversa GE | 1200 | V |
Io FN | Collettore Cu implementato Renta | 600 | A |
Io F | Diode Corrente continua in avanti Cu Renta | 450 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1200 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me | -40 a +150 +150 a +175 | O C |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
D Creep | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 9.0 9.0 | mm |
D chiaro | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 4.5 4.5 | mm |
IGBT
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io CN | Collettore Cu implementato Renta | 600 | A |
Io C | Corrente del collettore @ T F = 85 O C | 450 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 1200 | A |
P D | Massima dissipazione di potenza ation @ t F =75 O C t j = 175 O C | 970 | W |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V RRM | Pico ripetitivo volta inversa GE | 1200 | V |
Io FN | Collettore Cu implementato Renta | 600 | A |
Io F | Diode Corrente continua in avanti Cu Renta | 450 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1200 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione continua Per 10s all'interno di un periodo di 30s, occorrenza massimo 3000 volte durante la vita me | -40 a +150 +150 a +175 | O C |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
D Creep | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 9.0 9.0 | mm |
D chiaro | Terminale a dissipatore di calore Terminale a terminale | 4.5 4.5 | mm |
IGBT Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 1.40 |
|
V |
Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 1.65 |
| |||
Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 175 O C |
| 1.70 |
| |||
Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 1.60 |
| |||
Io C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 1.90 |
| |||
Io C =600A,V GE = 15V, t j = 175 O C |
| 2.00 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 15,6 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C |
| 6.4 |
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 1.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Resistenza interna della porta |
|
| 1.67 |
| Ω |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V |
| 81.2 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 1.56 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.53 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V CE = 600V,I C = 600A, V GE =-8... +15V |
| 5.34 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, t j = 25 O C |
| 290 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 81 |
| NS | |
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 895 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 87 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 53.5 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 47.5 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, t j = 150 O C |
| 322 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 103 |
| NS | |
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1017 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 171 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 84.2 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 63.7 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, r Gon =1,0Ω, r Goff = 2,2Ω, L s = 22nH, V GE =-8V/+15V, t j = 175 O C |
| 334 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 104 |
| NS | |
t d ((off) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1048 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 187 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 89.8 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 65.4 |
| mJ | |
Io SC | Dati SC | t P ≤6μs, V GE = 15V, t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V |
| 2000 |
| A |
Diodo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F |
Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.80 |
|
V |
Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50O C |
| 1.75 |
| |||
Io F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75O C |
| 1.70 |
| |||
Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.95 |
| |||
Io F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C |
| 1.95 |
| |||
Io F =600A,V GE =0V,T j =1 75O C |
| 1.90 |
| |||
Q r | Importo recuperato |
V r = 600V,I F =600A, - di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j = 25 O C |
| 22.5 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 304 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 10.8 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato |
V r = 600V,I F =600A, - di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j = 150 O C |
| 46.6 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 336 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 18.2 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato |
V r = 600V,I F =600A, - di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j = 175 O C |
| 49.8 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 346 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 19.8 |
| mJ |
NTC Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
r 25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Deviazione di r 100 | t C =100 O C ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Potenza dissipazione |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modulo Caratteristiche t F = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 8 |
| nH |
r CC+EE | Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip |
| 0.75 |
| mΩ |
△ P | △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C |
| 64 |
| mbar |
P | Pressione massima in circolo di raffreddamento cuo |
|
| 2.5 | bar |
r thJF | Giunti -To -Raffreddamento Fluid (perIGBT )Giunzione-a-Fluido di Raffreddamento (per D iodio) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C |
|
| 0.103 0.140 | C/W |
m | Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M4 | 3.6 1.8 |
| 4.4 2.2 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 750 |
| g |
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