Tutte le Categorie

Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

Pagina principale /  Prodotti  /  modulo IGBT  /  Modulo IGBT 1200V

GD600HFX120C2SA,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 600A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD600HFX120C2SA
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT Tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuito Ilità
  • V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175O C
  • Induttanza bassa Caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolata usi ng tecnologia HPS DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori D Riva
  • Corrente alternata e corrente continua servo Trasmissione amplificatore
  • Alimentazione ininterrotta fornitura

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

925

600

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

1200

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

3000

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

600

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

1200

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.65

2.00

V

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.95

Io C =600A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.6

6.2

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

60.8

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.84

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.64

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.2Ω,L s =20nH, V GE = ± 15V,T j = 25 O C

308

NS

t r

Tempo di risalita

42

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

431

NS

t F

Tempo di caduta

268

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

15.7

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

51.3

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.2Ω, L s =20 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 125 O C

311

NS

t r

Tempo di risalita

49

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

467

NS

t F

Tempo di caduta

351

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

31.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

69.4

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =600A, r g =1.2Ω, L s =20 nH ,

V GE = ± 15V,T j = 150 O C

313

NS

t r

Tempo di risalita

51

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

475

NS

t F

Tempo di caduta

365

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

34.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

71.1

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =600A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.85

2.30

V

Io F =600A,V GE =0V,T j = 125O C

1.90

Io F =600A,V GE =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=13040A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 25 O C

38.1

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

524

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

34.9

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=11220A/μs,V g e - Sì. 15 V, t j = 125O C

82.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

565

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

54.4

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F =600A,

-di/dt=11040A/μs,V g e - Sì. 15 V, t j = 150O C

94.7

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

589

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

55.8

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminale a Chip

0.35

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Giunzione-a-Cassa (per Di odo)

0.050

0.080

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.033

0.052

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g

Outline

image(c3756b8d25).png

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000

PRODOTTO CORRELATO

Hai domande su qualche prodotto?

Il nostro team di vendita professionale è in attesa della tua consulenza.
Puoi seguire la lista dei loro prodotti e fare qualsiasi domanda ti interessi.

Richiedi un preventivo

Richiedi un preventivo gratuito

Il nostro rappresentante ti contatterà presto.
Email
Nome
Nome dell'azienda
Messaggio
0/1000