1200V 600A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Descrizione | GD600CUL120C3S GD600CLL120C3S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 1050 600 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS | 1200 | A |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 600 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1200 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃ | 4.05 | kw |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | ℃ |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | ℃ |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | ℃ |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
Montaggio Coppia | Vite del Terminale di Segnale:M4 | 1.8 a 2.1 |
|
Vite del Terminale di Potenza:M8 | 8.0 a 10 | N.M | |
Fabbricazione di dispositivi di controllo: | 4.25 a 5.75 |
| |
Peso | Peso di Modulo | 1500 | g |
Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 24 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C =600A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.90 | 2.35 |
V |
Io C =600A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.10 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, r g =1,9Ω, V GE =± 15V, t j = 25 ℃ |
| 170 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 90 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 450 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 70 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 74.4 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 36.0 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =600A, r g =1,9Ω, V GE =± 15V, t j = 125℃ |
| 180 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 100 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 520 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 90 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 99.2 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 60.0 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 44.2 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 3.20 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 2.08 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
2800 |
|
A |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 1.6 |
| Ω |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
| 20 |
| nH |
r CC+EE | Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip |
|
|
0.18 |
| mΩ |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =600A | t j = 25 ℃ |
| 1.80 | 2.20 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.85 |
| ||||
Q r | Ricostruito carica | Io F =600A, V r = 600V, r g =1,9Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 80 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 152 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 520 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 680 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 28.8 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 60.0 |
|
Caratteristica termica ics
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θ JC | Connessione con il caso (per IGB) T) |
| 37.0 | K/kW |
r θ JC | Connessione con il caso (per D) iodio) |
| 64.0 | K/kW |
r θ CS | Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) | 6 |
| K/kW |
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