1200V 450A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 450A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
IGBT-inverter t C = 25 ℃ se non diversamente indicato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD450HTT120C7S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 650 450 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 900 | A |
P - Non | Dissipazione totale di potenza @ T j = 175 ℃ | 2155 | W |
t SC | Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 150 ℃ | 10 | μs |
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR) CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE =V CES V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE =V GES V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 18,0 mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C = 450 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 1.90 |
|
Cambiare carattere di estetica
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
V CC = 600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 23.0 |
| mJ |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 31.0 |
| mJ | |
e - Non | Totale Perdite di cambio |
| 54.0 |
| mJ | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
V CC = 600V,I C =450A, R g = 1,6Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125 ℃ |
| 36.0 |
| mJ |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 48.0 |
| mJ | |
e - Non | Totale Perdite di cambio |
| 84.0 |
| mJ |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione | V CC = 600V,I C = 450A, r g = 1,6Ω, V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 160 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 90 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 500 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 130 |
| NS | |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione | V CC = 600V,I C = 450A, r g = 1,6Ω, V GE = ± 15 V, t j = 125 ℃ |
| 170 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 100 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 570 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 160 |
| NS | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 32.3 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 1.69 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.46 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t s C ≤ 10 μs,V GE ≤ 15 V, t j = 125 ℃ , V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1800 |
|
A |
r Gint | Resistenza interna della porta |
|
| 1.7 |
| Oh |
Q g | Importo della porta | V GE =-15...+15V |
| 4.3 |
| μC |
DIOD-inverter t C = 25 ℃ a meno che non sia stato - Sapienza nota
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD450HTT120C7S | Unità |
V RRM | Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
Io F | Corrente continua in avanti @ t C = 80 ℃ | 450 | A |
Io MF | Corrente di picco in avanti ripetitiva t P = 1 millisecondo | 900 | A |
Io 2t | Io 2Valore t,V r =0V, t P = 10 ms, T j = 125℃ | 35000 | A 2s |
Caratteristiche Valori
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 450 A,V GE =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Importo recuperato |
Io F = 450A, V r = 600V, di/dt=-5200A/μs, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 45.1 |
| NS |
t j = 125 ℃ |
| 84.6 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 316 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 404 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 21.1 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 38.9 |
| ||||
Elettrico Caratteristiche di NTC t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
r 25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Deviazione di r 100 | t C =100 ℃ ,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Dissipazione di Potenza |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Valore B | r 2=R 25esp[B 25/50 (1/T 2-1/(2 98.1 5K))] |
| 3375 |
| k |
modulo IGBT
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V ISO | Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min |
| 2500 |
| V |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 20 |
| nH |
r CC + EE ’ | Modulo di resistenza al piombo C.E., terminale a Chip. @ T C = 25 ℃ |
| 1.1 |
| m Ω |
r θJC | Giunti -To -Caso (perIGBT ) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
| 0.058 0.102 | C/W |
r θCS | La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare) |
| 0.005 |
| C/W |
t j | Temperatura massima di giunzione |
|
| 150 | ℃ |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 |
| 125 | ℃ |
Montaggio Coppia | Terminale di alimentazione Fabbricazione di prodotti di cui al punto 3.4. | 3.0 |
| 6.0 | N.M |
Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 3.0 |
| 6.0 | N.M | |
Peso | Peso di Modulo |
| 910 |
| g |
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