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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD450HFT120C2S_G8,Modulo IGBT,STARPOWER

1200V 450A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD450HFT120C2S_G8
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 450A.

Caratteristiche

  • Bassa V CE (seduto ) Trincea IGBT Tecnologia
  • 10 μs Capacita' di cortocircuito Ilità
  • V CE (seduto ) Con positivo Temperatura coefficiente
  • Massimo temperatura di giunzione 175O C
  • Induttanza bassa Caso
  • Recupero inverso veloce e morbido FWD antiparallelo
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori D Riva
  • Corrente alternata e corrente continua servo Trasmissione amplificatore
  • Potenza ininterrotta r fornitura

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

IGBT

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 30

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 95 O C

685

450

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo

900

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

2206

W

Diodo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

450

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P = 1 millisecondo

900

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 450 A,V GE = 15 V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C = 450 A,V GE = 15 V, t j = 125 O C

1.95

Io C = 450 A,V GE = 15 V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 18,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.0

5.6

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.7

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

39.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.26

NF

Q g

Importo della porta

V GE = 15V

2.46

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

360

NS

t r

Tempo di risalita

140

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

550

NS

t F

Tempo di caduta

146

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

11.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

48.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

374

NS

t r

Tempo di risalita

147

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

623

NS

t F

Tempo di caduta

178

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

17.9

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

64.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 450A, r g = 1,5Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

381

NS

t r

Tempo di risalita

152

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

636

NS

t F

Tempo di caduta

184

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

19.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

69.0

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.72

2.12

V

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.73

Io F = 450 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.74

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 25 O C

40.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

258

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

19.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 125O C

71.9

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

338

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

39.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 450A,

- di/dt=3000A/μs,V GE - Sì. 15 V, t j = 150O C

79.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

352

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

41.8

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo di resistenza al piombo, Terminal a chip

0.35

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.068

0.117

C/W

r θ CS

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (per diodo)

0.111

0.190

C/W

r θ CS

Cassa-sink

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso Modulo

300

g

Outline

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