Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGT120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

680

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

800

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

@ T C = 80 ℃

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

2419

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

℃

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montaggio Coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Filtro di alimentazione:M6

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

N.M

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

3,0 a 5.0

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.70

2.05

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.00

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 ℃

251

NS

t r

Tempo di risalita

89

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

555

NS

t F

Tempo di caduta

128

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

23.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

39.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 ℃

302

NS

t r

Tempo di risalita

101

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

650

NS

t F

Tempo di caduta

179

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

33.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

58.9

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C - Non

Capacità di uscita

1.51

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.31

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.9

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.18

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25 ℃

1.65

2.10

V

t j = 125 ℃

1.65

Q r

Ricostruito

carica

Io F = 400A,

V r = 600V,

r g = 1,8Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

39.8

μC

t j = 125 ℃

75.1

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

275

A

t j = 125 ℃

362

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

18.0

mJ

t j = 125 ℃

34.1

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.067

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.124

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.035

C/W

Peso

Peso Modulo

300

g