Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGL120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

650

A

400

Io CM (1)

Impulso di collezione di corrente nt

800

A

Io F

Diodo di corrente continua in avanti

400

A

Io FM

Diodo Cur massima in avanti affitto

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃

10

μs

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t j

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

Io 2Valore t, diodo

V r =0V, t=10ms, T j = 125 ℃

27500

A 2s

V ISO

Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Torsione di montaggio

Filtro di alimentazione:M6

2,5 a 5

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3 To 6

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

BV CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Emittente di porta

corrente di fuga

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Emittente di porta

Voltaggio di soglia

Io C = 8 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Collezione

Saturazione dell'emittente

Tensione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.9

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125℃

2.1

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A,

r g =4Ω, V GE = ± 15 V,

100

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

t j = 25 ℃

420

NS

t F

Tempo di caduta

V CC = 600V,I C = 400A,

r g =4Ω, V GE = ± 15 V,

t j = 25 ℃

60

NS

e ON

Accendere

Perdite di cambio

33

mJ

e OFF

Girate. -OFF

Perdite di cambio

42

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A,

r g =4Ω, V GE = ± 15 V,

t j = 125℃

120

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

490

NS

t F

Tempo di caduta

75

NS

e ON

Accendere

Perdite di cambio

35

mJ

e OFF

Girate. -OFF

Perdite di cambio

46

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

30

NF

C - Non

Capacità di uscita

4

NF

C res

Inverso

Capacità di trasferimento

3

NF

Io SC

Dati SC

t s C ≤ 10 μs, V GE =15 V,

t j = 125 ℃ , V CC = 900V,

V CEM ≤ 1200V

1900

A

r Gint

Porta interna

resistenza

0.5

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

20

nH

r CC + EE ’

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

t C = 25 ℃

0.18

m Ω

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25 ℃

2.1

2.2

V

t j = 125℃

2.2

2.3

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 400A,

V r = 600V,

di/dt=-4000A/μs, V GE - Sì. 15V

t j = 25 ℃

40

μC

t j = 125℃

48

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25 ℃

320

A

t j = 125℃

400

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

12

mJ

t j = 125℃

20

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Modulo r)

0.05

C/W

r θ JC

Connessione con il cassa (diodo, per modulo) e)

0.09

C/W

r θ CS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)

0.035

C/W

Peso

Peso di Modulo

300

g