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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD400SGK120C2S,Modulo IGBT,STARPOWER

Modulo IGBT, 1200V 400A

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD400SGK120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 600A.

Caratteristiche

  • VCE basso (sat) non perforante attraverso la tecnologia IGBT
  • Capacità di cortocircuito di 10 μs
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Non con serratura
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • UPS
  • Forniture di alimentazione in modalità di commutazione
  • Saldatrici elettroniche a fSW fino a 25 kHz

Valori di rating massimi assoluti t C = 25 se non altrimenti - Ted.

Il simbolo

Descrizione

GD400SGK120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

Il simbolo

Descrizione

GD400SGK120C2S

Unità

V GES

Tensione del portatore-emittente

± 20V

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25

@ T C = 80

550

A

400

Io CM(1)

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

Io F

Corrente di diodo continua in avanti nt

400

A

Io FM

Corrente di diodo massima in avanti nt

800

A

P D

Potenza massima Dissipazione @ t j = 150

2500

W

t SC

Cortocircuito resistenza al tempo @ T j =1 25

10

μs

t j

Temperatura di funzionamento della giunzione

- Da 40 a +150

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

- Da 40 a +125

Io 2Valore t, diodo

V r =0V, t=10ms, T j = 125

27500

A 2s

V ISO

Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Montaggio

Coppia

Terminale di alimentazione Vite:M4

Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

1.1 a 2.0

2,5 a 5.0

N.M

Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati

3,0 a 6.0

N.M

Caratteristiche elettriche di IGBT t C = 25 se non diversamente indicato

Non caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

BV CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE =V CES V GE =0V, t j = 25

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello

corrente

V GE =V GES V CE =0V, t j = 25

400

NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th)

Emittente di porta

Voltaggio di soglia

Io C = 5,0 mA,V CE =V GE ,

t j = 25

4.5

5.1

5.5

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V,T j = 25

2.2

V

Io C = 400 A,V GE = 15V,

t j = 125

2.5

Cambiare carattere di estetica

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A,

258

NS

t r

Tempo di risalita

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V,

110

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

t j = 25

285

NS

t F

Tempo di caduta

V CC = 600V,I C = 400A,

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 25

70

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

45

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

26

mJ

t D (in)

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A,

r g = 3,3Ω, V GE = ± 15 V, t j = 125

260

NS

t r

Tempo di risalita

120

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

300

NS

t F

Tempo di caduta

80

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

60

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

40

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1,0MHz,

V GE =0V

74.7

NF

C - Non

Capacità di uscita

3.3

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.64

NF

Io SC

Dati SC

t s C 10 μs, V GE = 15V,

t j = 125 , V CC = 900V,

V CEM 1200V

2400

A

L CE

Induttanza di deflusso

16

nH

r CC + EE

Modulo piombo

Resistenza, Terminale To Chip

t C = 25

0.50

m Ω

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25

2.0

2.3

V

t j = 125

2.2

2.5

Q r

Diodo inverso

tassa di recupero

Io F = 400A,

V r = 600V,

di/dt=-4100A/μs, V GE = 15V

t j = 25

31

μC

t j = 125

66

Io RM

Pico di diodo

Ritorno al recupero corrente

t j = 25

300

A

t j = 125

410

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25

12

mJ

t j = 125

28

Caratteristiche termiche

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θJC

Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità 1/2 modulo)

0.05

C/W

r θJC

Connessione con cassa (diodo, per 1/2 modulo)

0.08

C/W

r θCS

La grezza da cassa a pozzo (grezzo conduttivo a (in particolare)

0.035

C/W

Peso

Peso di Modulo

340

g

Outline

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