1200V 400A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Descrizione | GD400HFT120C2SN | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 650 400 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS | 800 | A |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 400 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 800 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃ | 2542 | W |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | ℃ |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | ℃ |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | ℃ |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
Montaggio Coppia | Filtro di alimentazione:M6 Fabbricazione di dispositivi di controllo: | 2,5 a 5.0 3,0 a 5.0 | N.M |
Peso | Peso di Modulo | 300 | g |
Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.00 |
| |||
Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 ℃ |
| 2.10 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, V GE =± 15V, t j = 25 ℃ |
| 250 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 39 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 500 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 100 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 17.0 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 42.0 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, V GE =± 15V, t j = 125℃ |
| 299 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 46 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 605 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 155 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 25.1 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 61.9 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω, V GE =± 15V, t j = 150℃ |
| 320 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 52 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 625 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 180 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 30.5 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 66.8 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 28.8 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 1.51 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.31 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1600 |
|
A |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 1.9 |
| Ω |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
|
| 20 | nH |
r CC+EE | Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip |
|
|
0.35 |
|
mΩ |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 400A, V GE =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 |
V |
t j = 125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
t j = 150 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r |
Importo recuperato |
Io F = 400A, V r = 600V, r g = 1,8Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 44 |
|
μC |
t j = 125 ℃ |
| 78 |
| ||||
t j = 150 ℃ |
| 90 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 490 |
|
A | |
t j = 125 ℃ |
| 555 |
| ||||
t j = 150 ℃ |
| 565 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 19.0 |
|
mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 35.1 |
| ||||
t j = 150 ℃ |
| 38.8 |
| ||||
Caratteristica termica ics
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θ JC | Connessione con il caso (per IGB) T) |
| 0.059 | C/W |
r θ JC | Connessione con il caso (per D) iodio) |
| 0.106 | C/W |
r θ CS | Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) | 0.035 |
| C/W |
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