Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

700

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

2542

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min

4000

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.00

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.10

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.9

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

28.8

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.31

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

1.20

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

250

NS

t r

Tempo di risalita

39

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

500

NS

t F

Tempo di caduta

100

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

17.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

42.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

299

NS

t r

Tempo di risalita

46

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

605

NS

t F

Tempo di caduta

155

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

25.1

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

61.9

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 1,8Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

320

NS

t r

Tempo di risalita

52

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

625

NS

t F

Tempo di caduta

180

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

30.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

66.8

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 600V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,

V GE - Sì. 15 V, t j = 25 O C

44

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

490

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

19.0

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,

V GE - Sì. 15 V, t j = 125O C

78

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

555

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

35.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 400A,

- di/dt=6000A/μs,

V GE - Sì. 15 V, t j = 150O C

90

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

565

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

38.8

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

r 25

Resistenza Nominale

5.0

kΩ

∆R/R

Deviazione di r 100

t C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Dissipazione di Potenza

20.0

mW

B 25/50

Valore B

r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.059

0.106

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.109

0.196

0.035

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vattone M5 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

300

g