Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

GD400HFL120C2S

Unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente Collettore @ t C = 25 ℃

@ T C = 80 ℃

730

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS

800

A

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃

2778

W

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

℃

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

℃

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-40 a +125

℃

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montaggio Coppia

Filtro di alimentazione:M6

Fabbricazione di dispositivi di controllo:

2,5 a 5.0

3,0 a 5.0

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V (BR )CES

Collettore-emittente

Tensione di Rottura

t j = 25 ℃

1200

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃

400

NA

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 16,0 mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃

1.90

2.35

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃

2.10

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 4. 1Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 ℃

910

NS

t r

Tempo di risalita

200

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

848

NS

t F

Tempo di caduta

110

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

33.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

39.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 4. 1Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 ℃

1047

NS

t r

Tempo di risalita

201

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

998

NS

t F

Tempo di caduta

150

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

46.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

57.6

mJ

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

29.7

NF

C - Non

Capacità di uscita

2.08

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.36

NF

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE =15 V,

t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

L CE

Induttanza di deflusso

18

nH

r CC+EE

Modulo piombo

Resistenza,

Terminal a chip

0.32

mΩ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400A

t j = 25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125 ℃

1.85

Q r

Ricostruito

carica

Io F = 400A,

V r = 600V,

r g = 4. 1Ω,

V GE = 15V

t j = 25 ℃

26

μC

t j = 125 ℃

49

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

t j = 25 ℃

212

A

t j = 125 ℃

281

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

t j = 25 ℃

23.4

mJ

t j = 125 ℃

33.8

Il simbolo

Parametro

Tipo.

Max.

Unità

r θ JC

Connessione con il caso (per IGB) T)

0.054

C/W

r θ JC

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.093

C/W

r θ CS

Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)

0.032

C/W

Peso

Peso Modulo

350

g