Modulo IGBT, 1200V 400A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 400A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Valori di rating massimi assoluti t C = 25 ℃ salvo diversa indicazione nota
Il simbolo | Descrizione | GD400HFL120C2SN | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃ | 650 | A |
400 | |||
Io CM(1) | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 800 | A |
Io F | Diodo di corrente continua in avanti @ T C = 80 ℃ | 400 | A |
Io FM | Corrente di diodo massima in avanti nt | 800 | A |
P D | Potenza massima Dissipazione @ t j = 150 ℃ | 2450 | W |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 150 | ℃ |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | - Da 40 a +125 | ℃ |
V ISO | Il tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | V |
Montaggio | Terminale di alimentazione Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 2,5 a 5.0 | N.M |
Coppia | Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 3,0 a 5.0 |
|
Caratteristiche elettriche di IGBT t C = 25 ℃ se non diversamente indicato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR) CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE =V CES V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE =V GES V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =16mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.2 | 7.0 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.90 | 2.35 |
V |
Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.10 |
|
Cambiare carattere di estetica
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 910 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 200 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 848 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 110 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 33.5 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 39.5 |
| mJ | |
t D (in) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 400A, r g =4.1Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125 ℃ |
| 1047 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 201 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 998 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 150 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 46.0 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 57.6 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 29.7 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 2.08 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 1.36 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 25 ℃ V CC = 600V, V CEM ≤ 1200V |
|
1800 |
|
A |
r Gint | Resistenza interna della porta |
|
| 0.5 |
| Oh |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
|
| 20 | nH |
r CC + EE ’ | Resistenza di Contatto del Modulo nce, Terminal a chip | t C = 25 ℃ |
| 0.35 |
| m Ω |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 400A | t j = 25 ℃ |
| 1.80 | 2.40 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.85 |
| ||||
Q r | Importo recuperato |
Io F = 400A, V r = 600V, di/dt=-2680A/μs, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 26 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 49 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 212 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 281 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 13.4 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 23.8 |
| ||||
Caratteristiche termiche
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θJC | Giunti -To -Caso (perIGBT ) |
| 0.051 | C/W |
r θJC | Giunzione-a-Caso (per DIODE) |
| 0.072 | C/W |
r θCS | Caso-a-Sink (grasso conduttivo applicato) | 0.035 |
| C/W |
Peso | Peso di Modulo | 300 |
| g |
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