Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 80 O C

615

400

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

800

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 150 O C

2358

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

400

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

800

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

150

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +125

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 25 O C

2.15

2.60

V

Io C = 400 A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.65

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 4,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.2

5.7

6.2

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

0.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

26.2

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.68

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

4.18

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

392

NS

t r

Tempo di risalita

129

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

567

NS

t F

Tempo di caduta

143

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

8.40

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

37.3

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C = 400A, r g = 2,2Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

395

NS

t r

Tempo di risalita

135

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

604

NS

t F

Tempo di caduta

154

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

12.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

42.7

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 125 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.80

2.25

V

Io F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.85

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 400A,

- di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, t j = 25 O C

35.2

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

246

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

17.1

mJ

Q r

Importo recuperato

V CC = 600V,I F = 400A,

- di/dt=2840A/μs,V GE =± 15V, t j = 125O C

56.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

312

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.3

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T)

Connessione con il caso (per D) iodio)

0.053

0.103

C/W

r thCH

Cassa-sink (per IGBT)

Cassa-sink (p) diodo)

Cassa-sink (per Modulo)

0.048

0.094

0.032

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

350

g