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Modulo IGBT 1200V

Modulo IGBT 1200V

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GD300TLY120C2S,Modulo IGBT,3 livelli in un pacchetto,STARPOWER

1200V 300A, 3 livelli in un pacchetto

Brand:
Strumento di controllo
Spu:
GD300TLY120C2S
  • Introduzione
  • Outline
Introduzione

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto , 1200V 300A, 3 livelli in un pacchetto, di STARPOWER.

Caratteristiche

  • Tecnologia IGBT a bassa velocità di scarico (VCE)
  • VCE (sat) con coefficiente di temperatura positivo
  • Basse perdite di commutazione
  • Temperatura massima di giunzione 175oC
  • Cassa a bassa induttanza
  • FWD antiparallelo di recupero inverso veloce e morbido
  • Piastra di base in rame isolato con tecnologia DBC

Tipico Applicazioni

  • Invertitori per motori
  • Fonte di alimentazione ininterrotta
  • Energia solare

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

T1, T2 IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

1612

W

Diodo D1, D2

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

T3,T4 IGBT

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 60 O C

372

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

920

W

Diodo D3, D4

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

650

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Modulo

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

T1, T2 IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.95

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.00

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 7,50 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.2

6.0

6.8

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

21.0

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

1.20

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15...+15V

2.60

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

182

NS

t r

Tempo di risalita

54

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

464

NS

t F

Tempo di caduta

72

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

10.6

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

25.8

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

193

NS

t r

Tempo di risalita

54

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

577

NS

t F

Tempo di caduta

113

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

16.8

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

38.6

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g = 1.3Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

203

NS

t r

Tempo di risalita

54

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

618

NS

t F

Tempo di caduta

124

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

18.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

43.3

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

D1, D2 Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

Unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io C =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io C =300A,V GE =0V,T j = 125 O C

1.65

Io C =300A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.65

Q r

Ricostruito

carica

V CC = 600V,I F =300A,

- di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 25 O C

29

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

318

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

18.1

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V CC = 600V,I F =300A,

- di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 125O C

55

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

371

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

28.0

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V CC = 600V,I F =300A,

- di/dt=6050A/μs,V GE = 15 V, t j = 150O C

64

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

390

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

32.8

mJ

T3,T4 IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.45

1.90

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.60

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 4,8 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

17.1

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.51

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 +15V

2.88

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

88

NS

t r

Tempo di risalita

40

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

294

NS

t F

Tempo di caduta

43

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

1.34

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

8.60

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 O C

96

NS

t r

Tempo di risalita

48

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

312

NS

t F

Tempo di caduta

60

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

1.86

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

10.8

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 150 O C

104

NS

t r

Tempo di risalita

48

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

318

NS

t F

Tempo di caduta

60

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

1.98

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

11.3

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650 V

1500

A

D3, D4 Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.55

1.95

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125 O C

1.50

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150 O C

1.45

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=7150A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C

14.3

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

209

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.74

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=7150A/μs,V GE = 15V t j = 125 O C

26.4

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

259

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

6.82

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=7150A/μs,V GE = 15V t j = 150 O C

30.8

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

275

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

7.70

mJ

Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il cassa (per T1, T2 IGBT)

Connessione con il cassa (per D1, D2 Dio) di)

Connessione con il cassa (per T3, T4 IGBT)

Connessione con il cassa (per D3, D4 Dio) di)

0.093

0.158

0.163

0.299

C/W

r thCH

Cassa-sink (per T1,T2 IGBT)

Cassa-sink (per D1,D2) DIODE)

Cassa-sink (per T3,T4 IGBT)

Cassa-sink (per D3, D4) DIODE)

Cassa-sink (per Modulo)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

C/W

m

Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

g

Peso di Modulo

340

g

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