Modulo IGBT 1200V

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 100O C

540

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

1948

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

1200

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C

@ T C = 80 O C

415

300

A

Io CM

Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms

600

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T = 175 O C

1086

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Tensione inversa di picco ripetitiva

650

V

Io F

Diodo di continua curvatura anteriore affitto

300

A

Io FM

Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms

600

A

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

t jmax

Temperatura massima di giunzione

175

O C

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +150

O C

t STG

Temperatura di conservazione Autonomia

-40 a +125

O C

V ISO

tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.70

2.15

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

2.00

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

2.10

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 12.0mA,V CE =V GE , T j = 25 O C

5.0

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

1.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

100

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

2.5

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

21.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.98

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15…+15V

2.80

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

250

NS

t r

Tempo di risalita

90

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

550

NS

t F

Tempo di caduta

130

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

17.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

29.5

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 125O C

300

NS

t r

Tempo di risalita

100

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

650

NS

t F

Tempo di caduta

180

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

25.0

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

44.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 600V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 150O C

320

NS

t r

Tempo di risalita

100

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

680

NS

t F

Tempo di caduta

190

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

27.5

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

48.5

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤ 10 μs,V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

30.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

210

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

14.0

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

56.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

270

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

26.0

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 600V,I F =300A,

- di/dt=6000A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

62.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

290

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

28.5

mJ

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.45

1.90

V

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 O C

1.60

Io C =300A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C = 4,8 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.1

5.8

6.4

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF

corrente

V CE = V CES ,V GE =0V,

t j = 25 O C

5.0

mA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

400

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

1.0

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=1MHz,

V GE =0V

18.5

NF

C res

Trasferimento inverso

Capacità

0.55

NF

Q g

Importo della porta

V GE - Sì. 15V ...+15V

3.22

μC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 25 O C

110

NS

t r

Tempo di risalita

50

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

490

NS

t F

Tempo di caduta

50

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

2.13

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

9.83

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 125 O C

120

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

520

NS

t F

Tempo di caduta

70

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

3.10

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

12.0

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =300A, r g =2.4Ω,

V GE =± 15V, t j = 150 O C

130

NS

t r

Tempo di risalita

60

NS

t D (OFF )

Disattivamento Tempo di ritardo

530

NS

t F

Tempo di caduta

70

NS

e ON

Accendere Commutazione

Perdita

3.30

mJ

e OFF

Sconto di accensione

Perdita

12.5

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC = 360V, V CEM ≤ 650 V

1500

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento

Tensione

Io F =300A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.55

2.00

V

Io F =300A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

Io F =300A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 25 O C

13.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

190

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

3.40

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 125O C

24.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

235

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

6.20

mJ

Q r

Ricostruito

carica

V r = 300V,I F =300A,

- di/dt=6500A/μs,V GE - Sì. 15V t j = 150O C

28.0

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

250

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

7.00

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il cassa (per T1, T2 IGBT)

Connessione con il cassa (per D1, D2 Dio) di)

Connessione con il cassa (per T3, T4 IGBT)

Connessione con il cassa (per D3, D4 Dio) di)

0.077

0.141

0.138

0.237

C/W

r thCH

Cassa-sink (per T1,T2 IGBT)

Cassa-sink (per D1,D2) DIODE)

Cassa-sink (per T3,T4 IGBT)

Cassa-sink (per D3, D4) DIODE)

Cassa-sink (per Modulo)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

C/W

m

Torsione di montaggio Vite M6

Torsione di connessione terminale, Vattone M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M