Modulo IGBT, 1200V 300A; 3 livelli in un unico pacchetto
Breve introduzione
modulo IGBT , 1200V 300A, 3 livelli in un pacchetto, prodotto da STARPOWER.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
ti ,T2 IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD300TLT120C2S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente @ T j = 25 ℃ | ±20 | V |
Io C | Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 480 300 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS | 600 | A |
P - Non | Dissipazione totale di potenza @ T j = 175 ℃ | 1630 | W |
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 12.0mA,V CE =V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C =300A,V GE = 15V, t j = 125 ℃ |
| 2.00 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =300A, r g =2.4Ω, V GE =± 15V, t j = 25 ℃ |
| 250 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 90 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 550 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 130 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 16.9 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 29.4 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C =300A, r g =2.4Ω, V GE =± 15V, t j = 125 ℃ |
| 300 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 100 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 650 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 180 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 25.1 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 43.9 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 21.5 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.98 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V CC = 600V,I C =300A, V GE =-15 ﹍+15V |
| 2.8 |
| nC |
r Gint | Resistenza interna del gate |
|
| 2.5 |
| Ω |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 ℃,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
1200 |
|
A |
ti ,T2 Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD300TLT120C2S | Unità |
V RRM | Tensione di picco inversa ripetitiva @ T j = 25 ℃ | 1200 | V |
Io F | Corrente continua in avanti | 300 | A |
Io MF | Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms | 600 | A |
Caratteristiche Valori
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =300A, V GE =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.65 | 2.15 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.65 |
| ||||
Q r | Importo recuperato | Io F =300A, V r = 600V, r g =2.4Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 30 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 55 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 210 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 270 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 13.9 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 26.1 |
| ||||
T3,T4 IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD300TLT120C2S | Unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente @ T j = 25 ℃ | 650 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente @ T j = 25 ℃ | ±20 | V |
Io C | Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 480 300 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS | 600 | A |
P - Non | Dissipazione totale di potenza @ T j = 175 ℃ | 1071 | W |
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V (BR )CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 650 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =13.2 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃ | 5.5 |
| 7.7 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C =300A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.50 | 1.95 |
V |
Io C =300A,V GE = 15V, t j = 175 ℃ |
| 1.80 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 300V,I C =300A, r g = 2,5Ω, V GE =± 15V, t j = 25 ℃ |
| 125 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 320 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 270 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 135 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 3.20 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 12.2 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 300V,I C =300A, r g = 2,5Ω, V GE =± 15V, t j = 125 ℃ |
| 110 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 320 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 320 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 145 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 3.50 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 12.8 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 30V, f=1MHz, V GE =0V |
| 25.9 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 0.68 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V CC = 300V,I C =300A, V GE =15V |
| 590 |
| nC |
r Gint | Resistenza interna del gate |
|
| 1.0 |
| Ω |
Io SC |
Dati SC | t P ≤6μs, V GE = 15V, t j = 125 ℃,V CC = 360V, V CEM ≤ 650 V |
|
3600 |
|
A |
T3,T4 Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Valori massimi nominali
Il simbolo | Descrizione | GD300TLT120C2S | Unità |
V RRM | Tensione di picco inversa ripetitiva @ T j = 25 ℃ | 650 | V |
Io F | Corrente continua in avanti | 300 | A |
Io MF | Corrente di picco in avanti ripetitiva t P =1 ms | 600 | A |
Caratteristiche Valori
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F =300A, V GE =0V | t j = 25 ℃ |
| 1.40 | 1.80 | V |
t j = 125 ℃ |
| 1.40 |
| ||||
Q r | Importo recuperato |
Io F =300A, V r =300V, r g =4.7Ω, V GE = 15V | t j = 25 ℃ |
| 12.0 |
| μC |
t j = 125 ℃ |
| 21.2 |
| ||||
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero | t j = 25 ℃ |
| 153 |
| A | |
t j = 125 ℃ |
| 185 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 2.65 |
| mJ | |
t j = 125 ℃ |
| 5.12 |
| ||||
modulo IGBT
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V ISO | Tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t= 1min | 4000 |
|
| V |
r θ JC | Connessione con il cassa (per T1, T2 IGBT) Giunzione-a-Cassa (per T1,T2 DIODE) Connessione con il cassa (per T3, T4 IGBT) Giunzione-a-Cassa (per T3,T4 DIODE) |
|
| 0.092 0.158 0.137 0.236 |
C/W |
r θ CS | Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito) |
| 0.035 |
| C/W |
t jmax | Temperatura massima di giunzione |
|
| 175 | ℃ |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 |
| 150 | ℃ |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 |
| 125 | ℃ |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M6 Torsione di montaggio Vite M6 | 2.5 3.0 |
| 5.0 5.0 | N.M |
g | Peso di Modulo |
| 340 |
| g |
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