Modulo IGBT,GD1600SGT120C3S,STARPOWER

1200V 1600A

Brand:

Strumento di controllo

Spu:

GD1600SGT120C3S

Breve introduzione

modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 1600A.

Caratteristiche

Tipico Applicazioni

Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Descrizione	GD1600SGT120C3S	Unità
V CES	Tensione tra collettore ed emittente	1200	V
V GES	Tensione del portatore-emittente	±20	V
Io C	Corrente Collettore @ t C = 25 ℃ @ T C = 80 ℃	2600 1600	A
Io CM	Corrente Collettore a Impulso t P =1 MS	3200	A
Io F	Diodo di continua curvatura anteriore affitto @ T C = 80 ℃	1600	A
Io FM	Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms	3200	A
P D	Dissipation di potenza massima @ T j =1 75℃	8.43	kw
t jmax	Temperatura massima di giunzione	175	℃
t STG	Temperatura di conservazione Autonomia	-40 a +125	℃
V ISO	tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montaggio Coppia	Vite del Terminale di Segnale:M4	1.8 a 2.1
	Vite del Terminale di Potenza:M8	8.0 a 10	N.M
	Fabbricazione di dispositivi di controllo:	4.25 a 5.75

Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Non caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V (BR )CES	Collettore-emittente Tensione di Rottura	t j = 25 ℃	1200			V
Io CES	Collettore Taglio -OFF corrente	V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃			5.0	mA
Io GES	Perforazione del portello corrente	V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃			400	NA

Sulle caratteristiche

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
V GE (th )	Limita di emissione della porta Tensione	Io C =64 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 1600A,V GE = 15V, t j = 25 ℃		1.70	2.15	V
V CE (sat)	Collettore all'emittente Tensione di saturazione	Io C = 1600A,V GE = 15V, t j = 125 ℃		2.00		V

Caratteristiche di cambio

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova	Min.	Tipo.	Max.	Unità
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C =1600A, r Gon =1.6Ω, r Goff =0.2Ω, V GE = ± 15V,T j = 25 ℃		601		NS
t r	Tempo di risalita			225		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			830		NS
t F	Tempo di caduta			155		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			/		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			/		mJ
t D (ON )	Tempo di ritardo di accensione	V CC = 600V,I C = 1600A, r Gon = 1.6Ω,R Goff =0.2Ω, V GE = ± 15V,T j = 125 ℃		665		NS
t r	Tempo di risalita			225		NS
t D (OFF )	Disattivamento Tempo di ritardo			970		NS
t F	Tempo di caduta			180		NS
e ON	Accendere Commutazione Perdita			326		mJ
e OFF	Sconto di accensione Perdita			251		mJ
C ies	Capacità di ingresso	V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V		115		NF
C - Non	Capacità di uscita			6.03		NF
C res	Trasferimento inverso Capacità			5.23		NF
Io SC	Dati SC	t P ≤ 10 μs,V GE =15 V, t j = 125 °C, V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		6400		A
r Gint	Resistenza al cancello interno atteggiamento			1.6		Ω
L CE	Induttanza di deflusso			15		nH
r CC+EE	Modulo piombo Resistenza, Terminal a chip			0.10		mΩ

Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato

Il simbolo	Parametro	Condizioni di prova		Min.	Tipo.	Max.	Unità
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 1600A	t j = 25 ℃		1.65	2.05	V
V F	Diodo di avanzamento Tensione	Io F = 1600A	t j = 125 ℃		1.65		V
Q r	Ricostruito carica	Io F = 1600A, V r = 600V, r g =0.45Ω, V GE = 15V	t j = 25 ℃		160		μC
Q r	Ricostruito carica		t j = 125 ℃		300		μC
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 25 ℃		1100		A
Io RM	Verso il picco inverso corrente di recupero		t j = 125 ℃		1400		A
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 25 ℃		72		mJ
e Ricerca	Ritorno al recupero energia		t j = 125 ℃		136		mJ

Caratteristica termica ics

Il simbolo	Parametro	Tipo.	Max.	Unità
r θ JC	Connessione con il caso (per IGB) T)		17.8	K/kW
r θ JC	Connessione con il caso (per D) iodio)		31.0	K/kW
r θ CS	Cassa-sink (applicazione di grasso conduttivo) mentito)	6		K/kW
Peso	Peso Modulo	1500		g