1200V 1200A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da StarPower. 1200V 1200A.
Caratteristiche
Applicazioni tipiche
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Descrizione | GD1200SGL120C3S | Unità | |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V | |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ± 20 | V | |
Io C | Corrente del collettore | @ T C = 25 ℃ @ T C = 100℃ | 1900 | A |
1200 | ||||
Io CM (1) | Corrente Collettore a Impulso t P = 1 millisecondo | 2400 | A | |
Io F | Diodo di corrente continua in avanti | 1200 | A | |
Io FM | Diodo Cur massima in avanti affitto | 2400 | A | |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175℃ | 8823 | W | |
t SC | Cortocircuito resistenza al tempo @ T j = 125 ℃ | 10 | μs | |
t j | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | ℃ | |
t STG | Intervallo di temperatura di conservazione | -40 a +125 | ℃ | |
Io 2Valore t, diodo | V r =0V, t=10ms, T j = 125 ℃ | 300 | kA 2s | |
V ISO | Il tensione di isolamento RMS, f=50Hz, t=1min | 2500 | V | |
Montaggio Coppia | Terminale di alimentazione Vite:M4 Vite del Terminale di Potenza:M8 | 1.7 a 2.3 8.0 a 10 | N.M | |
Montaggio Fabbricazione di apparecchiature per la trasmissione di dati | 4.25 a 5.75 | N.M | ||
Elettrico Caratteristiche di IGBT t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Non caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
BV CES | Collettore-emittente Tensione di Rottura | t j = 25 ℃ | 1200 |
|
| V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 5.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 ℃ |
|
| 800 | NA |
Sulle caratteristiche
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C =48,0 mA ,V CE = V GE , t j = 25 ℃ | 5.0 | 6.5 | 7.0 | V |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 1200A,V GE = 15V, t j = 25 ℃ |
| 1.9 |
|
V |
Io C = 1200A,V GE = 15V, t j = 125℃ |
| 2.1 |
|
Caratteristiche di cambio
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità |
r Gint | Resistore Interno del Gate | t j = 25 ℃ |
| 1.2 |
| Ω |
Q GE | Importo della porta | Io C = 1200A,V CE = 600V, V GE - Sì. 15…+15V |
| 12.5 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione | V CC = 600V,I C = 1200A, r g =0.82Ω,V GE = ± 15 V, t j = 25 ℃ |
| 790 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 170 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1350 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 180 |
| NS | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 1200A, r g =0.82Ω,V GE = ± 15 V, t j = 125℃ |
| 850 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 170 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 1500 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 220 |
| NS | |
e ON | Accendere Perdite di cambio |
| 155 |
| mJ | |
e OFF | Perdita di Commutazione di Spegnimento |
| 190 |
| mJ | |
C ies | Capacità di ingresso |
V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 92.0 |
| NF |
C - Non | Capacità di uscita |
| 8.40 |
| NF | |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 6.10 |
| NF | |
Io SC |
Dati SC | t s C ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 125 ℃ , V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
7000 |
|
A |
L CE | Induttanza di deflusso |
|
| 15 |
| nH |
r CC + EE ’ | Resistenza di contatto del modulo e, Terminal a chip | t C = 25 ℃ , per interruttore |
| 0.10 |
| m Ω |
Elettrico Caratteristiche di Diodo t C = 25 ℃ a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | Unità | |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 1200A | t j = 25 ℃ |
| 1.9 |
| V |
t j = 125℃ |
| 2.1 |
| ||||
Q r | Diodo inverso tassa di recupero |
Io F = 1200A, V r = 600V, di/dt=-6800A/μs, V GE - Sì. 15V | t j = 25 ℃ |
| 110 |
| μC |
t j = 125℃ |
| 220 |
| ||||
Io RM | Pico di diodo Ritorno al recupero corrente | t j = 25 ℃ |
| 760 |
|
A | |
t j = 125℃ |
| 990 |
| ||||
e Ricerca | Ritorno al recupero energia | t j = 25 ℃ |
| 47 |
| mJ | |
t j = 125℃ |
| 82 |
| ||||
Caratteristica termica ics
Il simbolo | Parametro | Tipo. | Max. | Unità |
r θ JC | Fabbricazione di dispositivi di controllo della velocità Modulo r) |
| 0.017 | C/W |
r θ JC | Fabbricazione di dispositivi di controllo della qualità (le) |
| 0.025 | C/W |
r θ CS | Cassa-sink (Grasso conduttivo applicato, per Modulo) | 0.006 |
| C/W |
Peso | Peso di Modulo | 1500 |
| g |
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