IGBT discreto

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IoC

Corrente del collettore @ TC= 25OC @ TC=100OC

150

75

A

IoCM

Pulsato Collettore corrente  tP  limitata Di tvjmax

225

A

PD

Dissipation di potenza massima @ TVj= 175OC

852

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

VRRM

Volt inverso di picco ripetitivoEtà

1200

V

IoF

Diode Corrente continua in avanti CuRenta

75

A

IoFM

Pulsato Collettore corrente  tP  limitata Di tvjmax

225

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

tvjop

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

OC

tSTG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

OC

ts

Temperatura di Saldatura,1.6mm from case for 10s

260

OC

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VCE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

IoC=75A,VGE= 15V, tVj= 25OC

1.75

2.20

V

IoC=75A,VGE= 15V, tVj= 150OC

2.10

IoC=75A,VGE= 15V, tVj= 175OC

2.20

VGE(th)

Limita di emissione della porta Tensione

IoC=3.00mA,VCE=VGE, tVj= 25OC

5.0

5.8

6.5

V

IoCES

Collettore Taglio-OFFcorrente

VCE=VCES,VGE=0V, tVj= 25OC

250

μA

IoGES

Perforazione del portello corrente

VGE=VGES,VCE=0V,tVj= 25OC

100

NA

rGint

Resistenza interna della porta

2.0

Ω

Cies

Capacità di ingresso

VCE= 25V, f=100 kHz, VGE=0V

6.58

NF

C- Non

Capacità di uscita

0.40

Cres

Trasferimento inverso Capacità

0.19

NF

Qg

Importo della porta

VGE=-15...+15V

0.49

μC

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=75A,    rg=4.7Ω,

VGE=± 15V, Ls=40nH,

tVj= 25OC

41

NS

tr

Tempo di risalita

135

NS

td ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

87

NS

tF

Tempo di caduta

255

NS

eON

Accendere Commutazione Perdita

12.5

mJ

eOFF

Sconto di accensione Perdita

3.6

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=75A,    rg=4.7Ω,

VGE=± 15V, Ls=40nH,

tVj= 150OC

46

NS

tr

Tempo di risalita

140

NS

td ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

164

NS

tF

Tempo di caduta

354

NS

eON

Accendere Commutazione Perdita

17.6

mJ

eOFF

Sconto di accensione Perdita

6.3

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=75A,    rg=4.7Ω,

VGE=± 15V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

46

NS

tr

Tempo di risalita

140

NS

td ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

167

NS

tF

Tempo di caduta

372

NS

eON

Accendere Commutazione Perdita

18.7

mJ

eOFF

Sconto di accensione Perdita

6.7

mJ

IoSC

Dati SC

tP≤10μs,VGE= 15V,

tVj= 175OC,VCC= 800V, VCEM≤ 1200V

300

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VF

Diodo di avanzamento Tensione

IoF=75A,VGE=0V,TVj=25OC

1.75

2.20

V

IoF=75A,VGE=0V,TVj=150OC

1.75

IoF=75A,VGE=0V,TVj=175OC

1.75

trr

Diodo inverso  Tempo di Recupero

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj= 25OC

267

NS

Qr

Importo recuperato

4.2

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

22

A

eRicerca

Ritorno al recupero energia

1.1

mJ

trr

Diodo inverso  Tempo di Recupero

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj= 150OC

432

NS

Qr

Importo recuperato

9.80

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

33

A

eRicerca

Ritorno al recupero energia

2.7

mJ

trr

Diodo inverso  Tempo di Recupero

Vr= 600V,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VGE=-15V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

466

NS

Qr

Importo recuperato

11.2

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

35

A

eRicerca

Ritorno al recupero energia

3.1

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)Connessione con il caso (per D)iodio)

0.176 0.371

C/W

rthJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W