IGBT discreto

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

VCES

Tensione tra collettore ed emittente

1200

V

VGES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

IoC

Corrente del collettore @ TC= 25OC

@ TC= 110OC

50

25

A

IoCM

Corrente Collettore a Impulso tPlimitato da Tjmax

100

A

PD

Dissipation di potenza massima @ Tj= 175OC

573

W

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

t- Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

OC

tSTG

Temperatura di conservazioneAutonomia

-55 a +150

OC

ts

Temperatura di saldatura,1.6mm dacassa per 10s

260

OC

m

Torsione di montaggio Vite M3

0.6

N.M

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VCE (sat)

Collettore all'emittente

Tensione di saturazione

IoC=25A,VGE= 15V,

tj= 25OC

1.70

2.15

V

IoC=25A,VGE= 15V,

tj= 125OC

1.95

IoC=25A,VGE= 15V,

tj= 150OC

2.00

VGE(th)

Limita di emissione della porta Tensione

IoC=0.63mA,VCE=VGE, tj= 25OC

5.2

6.0

6.8

V

IoCES

Collettore Taglio-OFF

corrente

VCE=VCES,VGE=0V,

tj= 25OC

1.0

mA

IoGES

Perforazione del portello corrente

VGE=VGES,VCE=0V,tj= 25OC

400

NA

rGint

Resistenza al cancello internoatteggiamento

0

Ω

Cies

Capacità di ingresso

VCE= 25V, f=1MHz,

VGE=0V

2.59

NF

Cres

Trasferimento inverso

Capacità

0.07

NF

Qg

Importo della porta

VGE=-15...+15V

0.19

μC

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=25A,   rg=20Ω,VGE=± 15V, tj= 25OC

28

NS

tr

Tempo di risalita

17

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

196

NS

tF

Tempo di caduta

185

NS

eON

Accendere Commutazione

Perdita

1.71

mJ

eOFF

Sconto di accensione

Perdita

1.49

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=25A,   rg=20Ω,VGE=± 15V, tj= 125OC

28

NS

tr

Tempo di risalita

21

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

288

NS

tF

Tempo di caduta

216

NS

eON

Accendere Commutazione

Perdita

2.57

mJ

eOFF

Sconto di accensione

Perdita

2.21

mJ

tD(ON)

Tempo di ritardo di accensione

VCC= 600V,IC=25A,   rg=20Ω,VGE=± 15V, tj= 150OC

28

NS

tr

Tempo di risalita

22

NS

tD(OFF)

Disattivamento Tempo di ritardo

309

NS

tF

Tempo di caduta

227

NS

eON

Accendere Commutazione

Perdita

2.78

mJ

eOFF

Sconto di accensione

Perdita

2.42

mJ

IoSC

Dati SC

tP≤ 10 μs,VGE= 15V,

tj= 150OC,VCC= 900V, VCEM≤ 1200V

100

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

VF

Diodo di avanzamento

Tensione

IoF=25A,VGE=0V,Tj= 25OC

2.20

2.65

V

IoF=25A,VGE=0V,Tj= 125OC

2.30

IoF=25A,VGE=0V,Tj= 150OC

2.25

Qr

Importo recuperato

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj= 25OC

1.43

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

34

A

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

0.75

mJ

Qr

Importo recuperato

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj= 125OC

2.4

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

42

A

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

1.61

mJ

Qr

Importo recuperato

Vr= 600V,IF=25A,

-di/dt=880A/μs,VGE= 15V tj= 150OC

2.6

μC

IoRM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

44

A

eRicerca

Ritorno al recuperoenergia

2.10

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

rilJC

Connessione con il caso (per IGB)T)

Giunzione-a-Cassa (per Diodo)

0.262

0.495

C/W

rthJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W