IGBT discreto

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V CES

Tensione tra collettore ed emittente

650

V

V GES

Tensione del portatore-emittente

±20

V

Io C

Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C =135 O C

240

120

A

Io CM

Pulsato Collettore corrente t P limitata Di t jmax

360

A

P D

Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C

893

W

Il simbolo

Descrizione

valore

unità

V RRM

Volt inverso di picco ripetitivo Età

650

V

Io F

Corrente continua in avanti del diodo @ T C = 25 O C @ T C = 80 O C

177

120

A

Io FM

Diodo Massimo In avanti corrente t P limitata Di t jmax

360

A

Il simbolo

Descrizione

Valori

unità

t - Giappone

Temperatura di funzionamento della giunzione

-40 a +175

O C

t STG

Intervallo di temperatura di conservazione

-55 a +150

O C

t s

Temperatura di Saldatura,1.6mm f rom case for 10s

260

O C

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V CE (sat)

Collettore all'emittente Tensione di saturazione

Io C =120A,V GE = 15V, t j = 25 O C

1.40

1.85

V

Io C =120A,V GE = 15V, t j = 150 O C

1.70

Io C =120A,V GE = 15V, t j = 175 O C

1.75

V GE (th )

Limita di emissione della porta Tensione

Io C =1.92 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C

5.1

5.8

6.5

V

Io CES

Collettore Taglio -OFF corrente

V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C

250

uA

Io GES

Perforazione del portello corrente

V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C

200

NA

r Gint

Resistenza al cancello interno atteggiamento

/

Ω

C ies

Capacità di ingresso

V CE = 25V, f=100 kHz, V GE =0V

14.1

NF

C res

Trasferimento inverso Capacità

0.42

NF

Q g

Importo della porta

V GE =-15 ...+15V

0.86

uC

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

V GE =± 15V, L s = 40 nH ,t j = 25 O C

68

NS

t r

Tempo di risalita

201

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

166

NS

t F

Tempo di caduta

54

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

7.19

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

2.56

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

V GE =± 15V, L s = 40 nH ,t j = 150 O C

70

NS

t r

Tempo di risalita

207

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

186

NS

t F

Tempo di caduta

106

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

7.70

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

2.89

mJ

t D (ON )

Tempo di ritardo di accensione

V CC = 300V,I C =120A, r g =7.5Ω,

V GE =± 15V, L s = 40 nH ,t j = 175 O C

71

NS

t r

Tempo di risalita

211

NS

t d ((off)

Disattivamento Tempo di ritardo

195

NS

t F

Tempo di caduta

139

NS

e ON

Accendere Commutazione Perdita

7.80

mJ

e OFF

Sconto di accensione Perdita

2.98

mJ

Io SC

Dati SC

t P ≤6μs, V GE = 15V,

t j = 150 O C,V CC =300V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Il simbolo

Parametro

Condizioni di prova

Min.

Tipo.

Max.

unità

V F

Diodo di avanzamento Tensione

Io F =120A,V GE =0V,T j = 25 O C

1.65

2.10

V

Io F =120A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.60

Io F =120A,V GE =0V,T j =1 75O C

1.60

t R

Diodo inverso Tempo di Recupero

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L s = 40 nH ,t j = 25 O C

184

NS

Q r

Importo recuperato

1.65

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

17.2

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

0.23

mJ

t R

Diodo inverso Tempo di Recupero

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L s = 40 nH ,t j = 150 O C

221

NS

Q r

Importo recuperato

3.24

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

23.1

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

0.53

mJ

t R

Diodo inverso Tempo di Recupero

V r = 300V,I F =120A,

-di/dt=450A/μs,V GE = 15V L s = 40 nH ,t j = 175 O C

246

NS

Q r

Importo recuperato

3.98

μC

Io RM

Verso il picco inverso

corrente di recupero

26.8

A

e Ricerca

Ritorno al recupero energia

0.64

mJ

Il simbolo

Parametro

Min.

Tipo.

Max.

unità

r ilJC

Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio)

0.168 0.369

C/W

r thJA

Giunzione-a-ambiente

40

C/W