1200V 900A
Breve introduzione
modulo IGBT , prodotto da STARPOWER. 1200V 900A.
Caratteristiche
Tipico Applicazioni
Assoluto Massimo Classificazioni t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
IGBT
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V CES | Tensione tra collettore ed emittente | 1200 | V |
V GES | Tensione del portatore-emittente | ±20 | V |
Io C | Corrente del collettore @ T C = 25 O C @ T C = 100O C | 1522 900 | A |
Io CM | Corrente Collettore a Impulso t P =1 ms | 1800 | A |
P D | Dissipation di potenza massima @ T j = 175 O C | 5.24 | kw |
Diodo
Il simbolo | Descrizione | Valori | unità |
V RRM | Tensione inversa di picco ripetitiva | 1200 | V |
Io F | Diodo di continua curvatura anteriore affitto | 900 | A |
Io FM | Corrente in Avanti Massima del Diodo t P =1 ms | 1800 | A |
Modulo
Il simbolo | Descrizione | valore | unità |
t jmax | Temperatura massima di giunzione | 175 | O C |
t - Giappone | Temperatura di funzionamento della giunzione | -40 a +150 | O C |
t STG | Temperatura di conservazione Autonomia | -40 a +125 | O C |
V ISO | tensione di isolamento RMS,f=50Hz,t=1 min | 4000 | V |
IGBT Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V CE (sat) |
Collettore all'emittente Tensione di saturazione | Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 125 O C |
| 1.95 |
| |||
Io C = 900 A, V GE = 15V, t j = 150 O C |
| 2.00 |
| |||
V GE (th ) | Limita di emissione della porta Tensione | Io C = 22,5 mA ,V CE = V GE , t j = 25 O C | 5.2 | 6.0 | 6.8 | V |
Io CES | Collettore Taglio -OFF corrente | V CE = V CES ,V GE =0V, t j = 25 O C |
|
| 1.0 | mA |
Io GES | Perforazione del portello corrente | V GE = V GES ,V CE =0V, t j = 25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Resistenza al cancello interno atteggiamento |
|
| 0.63 |
| Ω |
C ies | Capacità di ingresso | V CE = 25V, f=1MHz, V GE =0V |
| 93.2 |
| NF |
C res | Trasferimento inverso Capacità |
| 2.61 |
| NF | |
Q g | Importo della porta | V GE =-15 ﹍+15V |
| 6.99 |
| μC |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 900A, r g =1.6Ω, V GE =± 15V, t j = 25 O C |
| 214 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 150 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 721 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 206 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 76 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 128 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 900A, r g =1.6Ω, V GE =± 15V, t j = 125 O C |
| 235 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 161 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 824 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 412 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 107 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 165 |
| mJ | |
t D (ON ) | Tempo di ritardo di accensione |
V CC = 600V,I C = 900A, r g =1.6Ω, V GE =± 15V, t j = 150 O C |
| 235 |
| NS |
t r | Tempo di risalita |
| 161 |
| NS | |
t D (OFF ) | Disattivamento Tempo di ritardo |
| 876 |
| NS | |
t F | Tempo di caduta |
| 464 |
| NS | |
e ON | Accendere Commutazione Perdita |
| 112 |
| mJ | |
e OFF | Sconto di accensione Perdita |
| 180 |
| mJ | |
Io SC |
Dati SC | t P ≤ 10 μs,V GE = 15V, t j = 150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V |
|
3600 |
|
A |
Diodo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
V F | Diodo di avanzamento Tensione | Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 25 O C |
| 1.90 | 2.25 |
V |
Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 125O C |
| 1.85 |
| |||
Io F = 900 A, V GE =0V,T j = 150O C |
| 1.80 |
| |||
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j = 25 O C |
| 86 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 475 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 36.1 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j = 125O C |
| 143 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 618 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 71.3 |
| mJ | |
Q r | Importo recuperato | V r = 600V,I F = 900A, -di/dt=4800A/μs,V GE = 15V t j = 150O C |
| 185 |
| μC |
Io RM | Verso il picco inverso corrente di recupero |
| 665 |
| A | |
e Ricerca | Ritorno al recupero energia |
| 75.1 |
| mJ |
NTC Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Condizioni di prova | Min. | Tipo. | Max. | unità |
r 25 | Resistenza Nominale |
|
| 5.0 |
| kΩ |
ΔR/R | Deviazione di r 100 | t C = 100 O C,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Potenza dissipazione |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
B 25/80 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| k |
B 25/100 | Valore B | r 2=R 25Esp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| k |
Modulo Caratteristiche t C = 25 O C a meno che altrimenti notato
Il simbolo | Parametro | Min. | Tipo. | Max. | unità |
L CE | Induttanza di deflusso |
| 18 |
| nH |
r CC+EE | Resistenza di Piombo del Modulo, Terminale a Chip |
| 0.30 |
| mΩ |
r ilJC | Connessione con il caso (per IGB) T) Connessione con il caso (per D) iodio) |
|
| 28.6 51.9 | K/kW |
r thCH | Cassa-sink (per IGBT) Cassa-sink (p) diodo) Cassa-sink (per Modulo) |
| 14.0 25.3 4.5 |
| K/kW |
m | Torsione di connessione terminale, Vite M4 Connessione Terminale Coppia, Vite M8 Torsione di montaggio Vattone M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10 6.0 |
N.M |
g | Peso di Modulo |
| 825 |
| g |
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